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发明名称 STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR0147683(B1) 申请公布日期 1998.08.01
申请号 KR19940012997 申请日期 1994.06.09
申请人 LG SEMICONDUCTOR CO.,LTD 发明人 AHN, BYUNG-WOO
分类号 H01L27/10;(IPC1-7):H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
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