| 主权项 |
1.一种单一材料校准标的之形成方法,该标的具有原子尺度垂直表面地形扫描尺寸以供该等测试仪器可测量该等尺寸,包含:提供一具有由第一材料制成之上表面基片,形成由化学结合该第二材料与第一材料的第二材料之第一层。在一均匀场以彼此分离之特征在第二材料加上图型,该等特征具有散射光之区域形状及分布为,产生该等特征系经由向下蚀刻经由第二材料至该第一材料同时保护该均匀场,该等特征系该场内的凹槽,形成第二材料的第二层于该等凹槽内,经由一原子尺度量延伸于第一层的该层之下,该第二层实质地薄于第一层,及从该基片实质地移走所有第二材料。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该等特征被位于一正规的图型内。3.如申请专利范围第1项之方法;其中该等特征系位于准随机图型内。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该等特征具有不同尺寸。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该等特征被分布于该晶圆表面上的虚方格内且具有交替方格各包含至少一尺寸不同于一相邻方格之特征。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该等特征尺寸系关于多阶贝色耳方程式。7.一种用于校准一仪器的方法,以测量原子尺度垂直表面地形扫描尺寸,包含下列步骤:提供一校准标准具有一已知粗糙度和一关联于该已知粗糙度的已知功率光谱密度方程式;以该仪器,测量,该校准标准的一粗糙度如一被测量的功率光谱密度方程式之一方程式,界定一测量的粗糙度;及比较该已知粗糙度与该测量的粗糙度。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该已知粗糙度系相关于一已知空间频率范围,其系对应于该仪器的有效空间带宽及该测量步骤包括于该已知范围上测量该测量的功率光谱密度方程式。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该比较步骤包括制作一个对应该测量粗糙度的一维功率光谱密度曲线之图面。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该被测量粗糙度为一原子尺度垂直表面地形扫描尺寸Zi的方程式。11.如申请专利范围第7项之方法,其中该已知粗糙度经由积分之该已知空间频率范围该已知功率光谱密度而计算出。12.如申请专利范围第7项之方法,其中该测量粗糙度系由积分该已知空间频率范围之该被测量功率光谱密度方程式而决定。图式简单说明:第一图是根据本发明一校准标的之顶视平面图;第二图是第一图该校准标的的一小部份之放大图;第三~八图是一校准标的的一显微镜之剖面图,显示根据本发明形成一单一特征之剖面图;第九~十四图则是一校准标的的一显微部份之剖面图,显示另一替代形成方式之剖面图;第十五图则是图解第一图所示该各向异性校准标的一维功率光谱密度曲线。 |
