DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMICONDUCTEURS AVEC SYSTEME DE REDONDANCE DE LIGNE PERFECTIONNE ET PROCEDE POUR ELIMINER UNE CELLULE DEFECTUEUSE

摘要

L'invention concerne un dispositif de mémoire à semi-conducteurs à système de redondance de ligne, comprenant des blocs globaux (500) dont chacun comprend plusieurs matrices élémentaires comportant un bloc normal (507) et un bloc de redondance (506); un décodeur principal (502) dont le signal de sortie est rendu sélectivement actif selon un signal d'adresse de ligne indépendamment de l'utilisation de la cellule de redondance; et un décodeur auxiliaire (503) dans lequel, quand un bloc global correspondant est sélectionné par un signal d'adresse de ligne dans un mode d'opération normale ou un système de redondance du bloc correspondant est utilisé dans le mode d'opération de redondance, le signal de sortie est rendu sélectivement actif selon le signal d'adresse de ligne.