| 主权项 |
1.一种塑胶铸模式半导体元件包含:一个在其表面上有许多电极的半导体组成物;一个沿着上述半导体组成物表面之外缘周边形成的堤条;许多与上述电极在电性上相连接而形成于上述堤条内侧并与上述堤条在电性上独立;以及一形成于上述堤条所围绕之区域内的铸模树脂并且暴露出部份上述导线。2.如申请专利范围第1项所述之一种塑胶铸模式半导体元件,其中上述堤条和上述导线以绝缘胶带固定于上述半导体组成物。3.如申请专利范围第1项所述之一种塑胶铸模式半导体元件,其中上述堤条之厚度比上述之导线厚。4.如申请专利范围第1项所述之一种塑胶铸模式半导体元件,其中上述半导体组成物的侧面和背面以涂附树脂覆盖。5.一种塑胶铸模式半导体元件包含:一个在其表面上有许多电极的半导体组成物;一个形成于上述半导体组成物表面之胶带并使该电极暴露于外;许多固定于上述胶带之导线其藉着部份朝着该电极方向弯曲而延伸至上述电极附近;许多传导线分别在电性上连接上述导线与该电极;以及一密封部份上述导线、上述电极和上述传导线的铸模树脂以便使部份相对于上述胶带的上述导线暴露在外。6.一种制造一塑胶铸模式半导体元件的方法包括下列各步骤:一个预备在一表面上有许多电极的半导体组成物之步骤;一个形成具有框型堤条的一导线架,其外型与上述半导体组成物之表面完全一致且有许多导线配置于上述各个堤条之内并且在电性上独立于上述堤条,上述堤条和上述导线以一绝缘胶带互相固定之步骤;一个将上述导线架置于上述各个半导体组成物之表面以便上述堤条与上述半导体组成之表面的外缘完全吻合且将上述导线和上述堤条以胶带固定于上述半导体组成物上之步骤;一个在电性上将固定于上述半导体组成物上之上述导线和上述半导体组成物以传导线互相连接之步骤;以及一个以一铸模树脂填充铸模内上述堤条之内侧以便密封上述半导体组成物表面之步骤。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中形成之上述胶带黏合于上述半导体组成物上其外型与上述半导体组成物的表面完全相同和形成之上述胶带其外部尺寸略大于上述半导体组成物的表面,上述形成之堤条的外部尺寸略大于上述胶带,且将上述胶带黏合于上述堤条使上述胶带的外缘与上述堤条完全吻合。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述堤条具有堤条支撑物往外延伸且沟槽在上述堤条的内缘延伸到上述各个堤条支撑物的前缘,上述各个沟槽定义于上述胶带反面的表面中,上述各个堤条支撑物的部份和上述堤条连续地连接至上述各个堤条支撑物。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述导线架含有许多导线架主体和堤条-堤条导线以便作为其导线间连接之用,并有沟槽经由上述堤条-堤条导线自一堤条的内缘延伸到另一堤条的内缘,上述沟槽则定义于上述胶带反面的表面中,并与部分上述堤条-堤条导线和上述堤条连续地连接着,且有孔洞与上述堤条-堤条导线之上述沟槽连通而定义于与上述表面不同的表面中,且执行上述填充该铸模树脂的步骤以便密封由上述导线连接的上述半导体组成物的表面,使上述导线架固定于该半导体组成物表面上的数目与上述导线架的导线架主体的数目一致。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述步骤以该铸模树脂填充铸模内上述堤条内侧以便密封连接上述导线之上述半导体组成物的表面,至于铸模其凹面部分定义于底面以形成定义于铸模中的空洞,并使与上述导线相连之上述表面的反面之上述半导体组成物的表面与上述底面接触。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中定义于上述底面中的上述凹面部份乃是由在上述底面上往下扩展之凹面的区面所形成。12.如申请专利范围第10或11项所述之方法,其中定义于上述底面中的上述凹面部份,自底面形状的平面图看来分别对称地生成于其向上和向下的方向和其左边及右边。13.如申请专利范围第6项所述之方法,其中预备好之导线架含有堤条支撑物,分别与各个堤条连接并且往堤条外侧延伸,而上述各堤条支撑物包括一连续连接于该堤条的部份并且在厚度上比该堤条薄,和一连续连接于该薄壁的部份而其厚度与堤条相同。14.如申请专利范围第6项所述之方法,其中预备好之导线架含有堤条支撑物,分别形成于该堤条的中间并往外延伸,上述堤条支撑物并以胶带与该堤条相连。15.一种制造一塑胶铸模式半导体元件的方法包括下列各步骤:一个预备一导线架的步骤,其组成为框型堤条其外型与半导体组成物完全相同、位于上述各个堤条内并与上述各个堤条没有接触之导线和与部份上述导线及上述堤条黏合之绝缘胶带其黏合面与上述导线及上述堤条在同一侧,使其能连接部份上述导线及上述堤条;一个将上述导线架置于上述半导体组成物之表面以便上述导线架之上述堤条与上述半导体组成物之表面的外缘完全吻合且将上述导线和上述堤条以上述胶带固定于上述半导体组成物上之步骤;一个以金线将上述导线固定于上述各个半导体组成物和上述半导体组成物间之步骤;一个以一铸模树脂填充铸模内上述堤条之内侧以便密封连接上述导线之各个上述半导体组成物表面之步骤;以及一个在完成填充上述铸模述脂后将在上述半导体组成物上比该胶带上表面低的一面浸于液体涂附树脂中,经浸泡后拉起上述半导体组成物并且乾燥及硬化该附上树脂之步骤。16.一种塑胶铸模式半导体元件包含:一个在其表面上有许多电极的半导体组成物;许多导线连接于上述半导体组成物的表面并排列于其表面内;用于连接上述半导体组成物和上述导线间的连接线;一绝缘胶带生成于部份上述导线和上述半导体组成物间以便将上述导线固定于上述半导体组成物上;以及一铸模树脂暴露有上述导线连接于上述半导体组成物表面之上述导线的上表面部份,且密封上述导线的其他部份,因此,除了有上述导线连接的表面外,上述半导体组成物的表面暴露于外。17.一种方法用于制造一塑胶铸模式半导体元件,其含有一半导体组成物、许多与上述半导体组成物连接的导线、用于连接上述半导体组成物和上述导线间之金线和一用于密封上述半导体组成物之铸模树脂,其部份上述半导体组成物暴露于外,包括下列各步骤:一个预备一导线架主体的步骤,其组成为一框型胶带其外型比有导线连接之表面大且其开口的形状比上述有导线连接的表面小,且有部份导线黏合于该胶带的内缘而其余之部份则导入开口中,上述胶带具有一黏着层附着于一导线黏合表面以便自其内缘延伸至一导线黏合位置且一黏着层附着于一与该导线黏合表面相反的表面上以便自其内缘延伸至一上述半导体组成物之该导线连接表面的外缘所形成相同形状之位置;一个将上述导线架置于上述半导体组成物之表面之步骤,使其黏着层附着于上述胶带之导线连接表面的反面上,并使其外缘与上述半导体组成物之该导线连接表面完全吻合并且以该胶带将上述导线固定于上述半导体组成物上;一个以金线将固定于上述半导体组成物之上述导线和上述半导体组成物连接之步骤;以及一个注入铸模树脂于只含上述半导体组成物之该导线连接表面的铸模内且以该铸模树脂覆盖该导线连接表面使得只有该导线的上表面部份暴露于外而上述导线之其余部份则加以密封。18.一种方法用于制造一塑胶铸模式半导体元件,其含有一半导体组成物、许多连接到上述半导体组成物的导线、用于连接上述半导体组成物和上述导线间之金线和一用于密封上述半导体组成物之铸模树脂,其部份上述半导体组成物暴露于外,包括下列各步骤:一个预备一含有导线架主体的导线架之步骤,其导线架主体含有一框型胶带其外型与半导体组成物之导线连接表面一致,有许多导线与上述体条相连并往内延伸,且绝缘胶带与上述堤条的一表面黏合,而上述堤条在相邻导线间含有树脂部份其组成为一绝缘树脂,以提供上述许多导线其相邻导线之电性中断之用;一个将上述导线架置于上述半导体组成物之表面之步骤,使其上述各个导线架主体之上述堤条其外缘与上述半导体组成物之该导线连接表面完全吻合,且以胶带将上述导线和上述堤条固定于上述半导体组成物上;一个以金线将固定于上述半导体组成物之上述导线和上述半导体组成物连接之步骤;以及一个注入铸模树脂于铸模内之上述各个堤条之内侧以密封上述半导体组成物之导线连接表面。19.一种塑胶铸模式半导体元件包含:一个在其表面上有许多电极的半导体组成物;一个沿着上述半导体组成物的外缘表面形成之堤条;许多与上述电极在电性上相连接而形成于上述堤条内侧并与上述堤条在电性上独立;一固定用材料用于固定上述堤条和上述导线于上述半导体组成物的表面;以及一密封用之材料用于密封上述半导体组成物的表面使部份之上述导线暴露于外;部份与上述导线相对应之上述堤条,其厚度比其他部份薄,并提供支撑物,其厚度与围绕着该薄层部份之上述其他部份一致。20.如申请专利范围第16项所述之塑胶铸模式半导体元件,其中该上述堤条之部份比其他部份薄,且以该密封材料填满。21.如申请专利范围第16项所述之塑胶铸模式半导体元件,其中该上述导线和上述堤条之部份其上表面完全互相等高。图示简单说明:第一图显示本发明第一实施例之塑胶铸模式半导体元件的组态(configuration),其中第一(a)图为第一实施例之剖面侧视图,而第一(b)图为第一实施例之透视图;第二图说明制造第一图之半导体元件的方法,其中,第二(a)图为架好之导线架组态的平面图,第二(b)图为导线架主体(lead fram body)的平面图,第二(c)图为第二(b)图所指之箭号R,R方向的剖面图,而第二(d)图及第二(e)图分别为说明第二(b)图之导线架主体的图示;第三图显示图示于第一图之方法并说明以树脂密封之铸模的状态,其中第三(a)图为部份剖面侧视图,显示第一(b)图之箭头A方向所指之侧面,而第三(b)图为部份剖面侧图,显示第一(b)图之箭头B方向所指之侧面;第四图说明第一图中之方法,其中第四(a)图为堤条支撑物切割前之状态的侧视图,而第四(b)图为堤条支撑物切割后之状态的侧视图;第五(a)图说明第二图到第四图之制造方法的第一种修正(first modification),而第五(b)、五(c)和五(d)图分别说明第一种修正的操作;第六图说明第二图到第四图之制造方法的第二种修正,其中,第六(a)图为导线架的部份平面图,而第六(b)图为说明树脂密封过程的剖面侧视图;第七图说明第二图到第四图之制造方法的第三种修正,其中,第七(a)图为导线架的部份平面图,而第七(b)图为说明树脂密封过程的剖面侧视图;第八图图示第二图到第四图之制造方法的第四种修正,其中,第八(a)图为使用之铸模的剖面侧视图,而第八(b)图为第四种修正操作的参考图;第九图说明第二图到第四图之制造方法的第五种修正,其中,第九(a)图为使用之铸模的剖面侧视图,而第九(b)图为解释第五种修正操作的参考图;第十图说明第二图到第四图之制造方法的第六种修正,其中,第十(a)图为部份使用之铸模的剖面侧视图,而第十(b)图为解释第六种修正操作的参考图;第十一图说明第二图到第四图之制造方法的第七种修正,其中,第十一(a)图为部份预备好之导线架的平面图,而第十一(b)图为说明制造过程的剖面侧视图,而第十一(c)图为解释第七种修正操作的参考图;第十二图说明第二图到第四图之制造方法的第八种修正,其中,第十二(a)图为部份预备好之导线架平面图,而第十一(b)图为说明制造过程的剖面侧视图;第十三图为第一图之第一实施例塑胶铸模式半导体元件的修正,其中,第十三(a)图为该修正的剖面侧视图,第十三(b)图为树脂密封过程的部份剖面侧视图,而第十三(c)图为解释该修正操作的参考图,而第十三(d)图为进行该修正的部份剖面侧视图;第十四图显示本发明第二实施例之塑胶铸模式半导体元件的组态之剖面侧视图;第十五图说明制造第十四图之半导体元件的方法,其中,第十五(a)图及第十五(b)图分别说明依加工顺序之树脂涂布制程的剖面侧视图;第十六图显示本发明之塑胶铸模式半导体元件的第三实施例,其中第十六(a)图为说明第三实施例组态之剖面侧视图,第十六(b)图为说明第三实施例之操作的参考图而第十六(c)图为进行第三实施例之状态的部份剖面侧视图;第十七图说明制造第十六图之半导体元件的方法,其中,第十七(a)图为架好之导线架组态的部份平面图,第十七(b)图为解释树脂密封过程的部份剖面侧视图,第十七(c)图为叙述用于已预备好导线架之胶带的组态部份剖面侧视图;第十八图为一例说明依本发明制成之半导体元件的组态,其中第十八(a)图为该半导体元件的剖面侧视图,而第十八(b)图为其透视图;第十九图为一明用于制造第十八图之半导体元件的导线架的组态平面图;第二十图显示本发明之塑胶铸模式半导体元件的第四实施例,其中第二十(a)图为说明第四实施例组态之剖面侧视图,第二十(b)图为第四实施例之透视图;第二一图说明第二十图之第四实施例,其中第二一(a)图为第四实施例组态的俯视图,而第二一(b)图为沿着第二一(a)图之A-A'线的剖面图;第二二图显示本发明之塑胶铸模式半导体元件的第五实施例;第二三图说明用于第二二图之第五实施例之导线架,其中第二三(a)图及第二三(c)图分别为该导线架组态的俯视图,而第二三(b)图及第二三(d)图分别为第二三(a)图及第二三(c)图之剖面图;第二四图显示本发明之塑胶铸模式半导体元件的第六实施例,其中第二四(a)图及第二四(b)图分别为第六实施例组态的剖面侧视图,而第二四(c)图为沿着第二四(a)图之C-C'线的剖面图;第二五图显示传统塑胶铸模式半导体元件组态之一例,其中第二五(a)图为该半导体元件的剖面侧视图,而二五(b)图为其透视图; 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