| 主权项 |
1.一种由坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其包括:一半导体基底;在该半导体基底上形成一绝缘层;在该绝缘层上形成一反射性大于该绝缘层之反射层;在该反射层上形成一坦覆式正光阻层;经曝光点曝光使该坦覆式正光阻层形成一已曝光之坦覆式光阻层;以及将该已曝光之坦覆式光阻层显影形成一正光阻蚀刻光罩图案。2.如申请专利范围第1项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,该正光阻反射层系以一减少之曝光能量或一增加之曝光深度与在未存在该反射层下之正光阻层比较相当。3.如申请专利范围第1项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,该反射层系以反射性材料形成,包括金属、金属合金、金属氮化物,复晶矽或氮矽化物。4.如申请专利范围第3项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,上述形成之反射层厚度约在 500 至 1000 埃左右。5.如申请专利范围第1项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,该正光阻层系以正光阻材料包括正光阻材料(novolak positivephotoresistmaterials)及丙烯酸树脂PMMA正光阻材料。6.如申请专利范围第1项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,以该正光阻层形成之孔隙宽度约小于0.4微米。7.一种由坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其包括:一半导体基底;在该半导体基底上形成一基底层;在该基底层上形成一反射性大于该基底层之反射层;在该反射层上形成一坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法正光阻层;经一曝光点曝光使该正光阻层形成一已曝光之坦覆式正光阻层;将该已曝光之坦覆式正光阻层显影形成一正光阻蚀刻光罩图案;经上述正光阻光罩蚀刻图案蚀刻该反射层;以及以该反射形图案蚀刻基底层形成部分经过基底层之孔隙。8.如申请专利范围第7项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,该正光阻反射层系以一减少之曝光能量或一增加之曝光深度与在未存在该反射层下之正光阻层比较相当。9.如申请专利范围第7项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,该基底层系以基底层形,包括绝缘层、非反射性导体层、非反射性半导体层及光活性层。10.如申请专利范围第7项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,该反射层系以反射性材料形成,包括金属、金属合金、金属氮化物,复晶矽或氮矽化物。11.如申请专利范围第10项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,上述形成之反射层厚度约在500至1000埃左右。12.如申请专利范围第7项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,该正光阻层系以正光阻材料包括正光阻材料及丙烯酸树脂 PMMA 正光阻材料。13.如申请专利范围第7项所述之坦覆式正光阻层形成狭窄开口宽度积体电路方法,其中,以该正光阻层形成之孔隙宽度约小于0.4微米。14.一种经由绝缘层形成狭窄开口介层窗积体电路的方法,其包括:一半导体基底;在该半导体基底上形成一绝缘层;在该绝缘层上形成一反射性大于该绝缘层之反射层;在该反射层上形成一坦覆式正光阻层;经一曝光点曝光使该正光阻层形成一已曝光之坦覆式正光阻层;将该已曝光之坦覆式正光阻层显影形成一正光阻蚀刻光罩图案;经上述正光阻光罩蚀刻图案蚀刻该反射层;以及以该反射形图案蚀刻基底层形成部分经过绝缘层之开口。15.如申请专利范围第14项所述之由绝缘层形成狭窄开口介层窗积体电路的方法,其中,该正光阻反射层系以一减少之曝光能量或一增加之曝光深度与在未存在该反射层下之正光阻层比较相当。16.如申请专利范围第14项所述之由绝缘层形成狭窄开口介层窗积体电路的方法,其中,该绝缘层系以绝缘性材料形成,包括矽氧化物绝缘材料、矽氮化物绝缘材料、矽氧氮化物绝缘材料及矽氧化物绝缘材料、矽氮化物绝缘材料、矽氧氮化物绝缘材料的复合物。17.如申请专利范围第14项所述之由绝缘层形成狭窄开口介层窗积体电路的方法,其中,该反射层系以反射性材料形成,包括金属、金属合金、金属氮化物,复晶矽或矽氮化物。18.如申请专利范围第14项所述之由绝缘层形成狭窄开口介层窗积体电路的方法,其中,上述形成之反射层厚度约在500至1000埃左右。19.如申请专利范围第14项所述之由绝缘层形成狭窄开口介层窗积体电路的方法,其中,以该正光阻层形成之孔隙宽度约小于0.4微米。图示简单说明:第一图至第六图系根据本发明一较佳实施例之积体电路复数个狭窄开口宽度接触窗和内连接介层窗经由复数层绝缘层制程流程剖面图。 |
