| 摘要 |
<p>L'invention relève du domaine de la micro-électronique à semi-conducteurs et concerne plus particulièrement des circuits intégrés hybrides hyperfréquence. Elle consiste en un circuit intégré hybride hyperfréquence et de grande puissance qui comprend une plaquette diélectrique (1) avec des ouvertures (3), une base métallique (4) avec des protubérances (6) passant à travers les ouvertures (3) et, enfin, des dispositifs nus à semi-conducteur (5) montés sur les protubérances (6) de la base (4). Ces dispositifs sont disposés de manière à ce que leur surface, qui comporte des plages de connexion, soit sur le même plan que la face avant de la plaquette diélectrique (1). Les ouvertures (3) sont pratiquées dans la base métallique (4) aux endroits où l'on veut placer les protubérances (6). Ces dernières se présentent sous forme d'inserts fixés de manière rigide dans les ouvertures (3), lesquels inserts sont faits d'un matériau ayant un coefficient de conductivité thermique supérieur à celui du matériau dont est faite la base métallique (4).</p> |
