| 发明名称 |
Bidirectional thyristor with mos turn-off capability with a single gate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2292007(B) |
申请公布日期 |
1998.06.10 |
| 申请号 |
GB19950013899 |
申请日期 |
1995.07.07 |
| 申请人 |
* INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
JANARDHANAN S * AJIT |
| 分类号 |
H01L29/74;H01L29/745;H01L29/747;H01L29/749;(IPC1-7):H01L29/749 |
主分类号 |
H01L29/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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