| 发明名称 | 导电体与绝缘体之间防止变质的氟阻挡层 | ||
| 摘要 | 一种提高金属对自身因暴露在从含氟材料释放出来的氟而变质的抵抗能力的方法,即在绝缘材料与金属之间形成氟阻挡层。本发明材对提高半导体结构中金相(例如铝金相)抗腐蚀和抗中毒的能力特别有用。本发明还包括用这种方法制取的集成电路结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1182956A | 申请公布日期 | 1998.05.27 |
| 申请号 | CN97120067.X | 申请日期 | 1997.10.07 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | E·C·库内三世;H·K·李;T·L·麦德维特;A·K·斯塔姆佩尔 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/768;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种提高金属对自身因暴露在氟中而变质的抵抗能力的方法，其特征在于，它包括下列步骤：配备含氟的绝缘材料；在所述绝缘材料上形成氟阻挡层；在所述氟阻挡层上形成金属。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||