发明名称 太阳能电池的制造工艺
摘要 在一个模具中熔化和固化金属级品位硅以形成一个片状硅层,并在其上形成一个晶体硅层,从而提供一种便宜的太阳能电池,而不需要一个切片步骤。
申请公布号 CN1179629A 申请公布日期 1998.04.22
申请号 CN97119638.9 申请日期 1997.09.19
申请人 佳能株式会社 发明人 西田彰志
分类号 H01L31/18 主分类号 H01L31/18
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 付建军
主权项 1.太阳能电池的一种制造工艺,包括一个采用金属溶剂利用液相生长方法在晶体硅基底上形成硅层的步骤,其中所述晶体硅基底的一个表面的杂质的总浓度为10ppm或更高且其中所述金属溶剂是铟。
地址 日本东京都