| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中当该第一光阻为一负光阻时,该光罩为一明场光罩。3.如申请专利范围第1项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中当该第一光阻为一正光阻时,该光罩为一暗场光罩。4.如申请专利范围第1项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第二光阻可以为一负光阻。5.如申请专利范围第1项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第二光阻可以为一正光阻。6.如申请专利范围第1项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中进行该第一曝光显影制程还包括:进行一软烤制程;进行一曝光制程;进行一曝光后烘烤制程;以及进行一显影制程。7.如申请专利范围第1项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第一线距宽与该第二线距宽相同。8.如申请专利范围第1项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第一元件图案之一密度与该第一虚拟图案与该第一元件图案之间之一密度相同。9.如申请专利范围第1项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第一元件图案之一线宽与该第一虚拟图案之线宽相同。10.如申请专利范围第1项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中形成该第二光阻之前,还包括于该晶圆上方形成一缓冲层。11.一种可降低邻近效应之微影制程,其包括:提供一晶圆,该晶圆上方形成有一图案化光阻,其中该图案化光阻具有一第一元件图案与一第一虚拟图案,该第一元件图案具有一第一线距宽,该第一虚拟图案与该元件图案具有一第二线距宽,且该第一虚拟图案位于该第一元件图案之周边;于该图案化光阻上形成一第一光阻;以及进行一第一曝光显影制程,移除部分该第一光阻,其中剩余之该第一光阻覆盖该第一虚拟图案。12.如申请专利范围第11项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中形成该图案化光阻之方法包括:于该晶圆上方形成一第二光阻;进行一软烤制程;以一光罩,进行一曝光制程,其中该光罩上形成有一第二元件图案与一第二虚拟图案,该第二元件图案具有一第三线距宽,该第二虚拟图案与该第二元件图案具有一第四线距宽,且该第二虚拟图案位于该第二元件图案之周边;进行一曝光后烘烤制程;以及进行一显影制程,则该第二元件图案与该第二虚拟图案转移至该第二光阻上以形成该图案化光阻,并于该图案化光阻中形成相对应之该第一元件图案与该第一虚拟图案。13.如申请专利范围第12项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中当该第二光阻为一负光阻时,该光罩为一明场光罩。14.如申请专利范围第12项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中当该第二光阻为一正光阻时,该光罩为一暗场光罩。15.如申请专利范围第12项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第三线距宽与该第四线距宽相同。16.如申请专利范围第12项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第二元件图案之一密度与该第二虚拟图案与该第二元件图案之间之一密度相同。17.如申请专利范围第12项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第二元件图案之一线宽与该第二虚拟图案之线宽相同。18.如申请专利范围第11项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第一光阻可以为一负光阻。19.如申请专利范围第11项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第一光阻可以为一正光阻。20.如申请专利范围第11项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第一线距宽与该第二线距宽相同。21.如申请专利范围第11项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第一元件图案之一密度与该第一虚拟图案与该第一元件图案之间之一密度相同。22.如申请专利范围第11项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中该第一元件图案之一线宽与该第一虚拟图案之线宽相同。23.如申请专利范围第11项所述之可降低邻近效应之微影制程,其中形成该第一光阻之前,还包括于该晶圆上方形成一缓冲层。图式简单说明:第1A图,所绘示为习知具有辅助图案之光罩上视简图;第1B图,所绘示为习知具有辅助图案之光罩上视简图;第2A图所示,为根据本发明一较佳实施例之可降低邻近效应微影制程之光罩上视简图;第2B图系为第2A图之光罩200沿线2B-2B'之剖面图;以及第3A图至第3C图系为根据本发明一较佳实施例以第2A图之光罩所进行之降低邻近效应微影制程流程之剖面简图。 |
