光阻剥离剂及使用其制造半导体装置之方法

摘要

一种包括特定醇胺之光阻剥离剂，该醇胺系具有以如下式(I)所示之至少一个官能基：其中，R1及R2系个别为氢原子，C1-C8烷基或C1-C8烯基；该光阻剥离剂，其系于低温下，在半导体装置制造之蚀刻或后续灰化之后，可在短时间内轻易的且充分的移除光阻膜和光阻残余物。此光阻剥离剂系对用于基材、电路和绝缘膜等材料之具抗腐蚀性。

主权项

1.一种光阻剥离剂,其包括选自于由下列所组成群类之化合物之剥离性醇胺:N-羟甲基乙醇胺、N-羟甲基异丙醇胺、N,N-二羟甲基乙醇胺、N-羟甲基二乙醇胺,N-羟甲基-N-甲基乙醇胺、N-羟甲基-N-乙基乙醇胺,N-羟甲基胺基乙氧乙醇、N,N'-二羟甲基伸乙基二胺、N-羟甲基伸乙基二胺、N,N-二羟甲基伸乙基二胺、N,N,N'-三羟甲基伸乙基二胺、N,N,N',N'-四羟甲基伸乙基二胺、N-羟甲基伸丁基二胺、N-羟甲基伸丙基二胺、N,N'-二羟甲基伸丁基二胺、N,N-二羟甲基伸丁基二胺、N,N,N'-三羟甲基伸丁基二胺、N,N,N',N'-四羟甲基伸丁基二胺、N,N'-二羟甲基伸丙基二胺、N,N-二羟甲基伸丙基二胺、N,N,N'-三羟甲基伸丙基二胺、N,N,N',N'-四羟甲基伸丙基二胺、N-羟甲基二伸乙基三胺、N,N'-二羟甲基二伸乙基三胺、N-羟甲基甲基胺、N,N-二羟甲基甲基胺、N-羟甲基二乙基胺、N-羟甲基乙基胺、N-羟甲基二乙基胺、N,N-二羟甲基丁基胺、N-羟甲基丙基胺、N-羟甲基丁基胺、N-羟甲基及N-羟甲基胺吗;添加胺,其系选自于甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、伸乙二胺、羟基胺、N,N-二乙基羟基胺、及吗所组成群类;且剥离醇胺及添加胺之莫耳比为0.01到100;水溶性溶剂,其系选自于二甲基硫甲化物、N,N-二甲基甲醯胺、N-N二甲基乙醯胺、N-甲基咯烷酮、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、及二丙二醇单丁醚所组成之群类,且其含量基于光阻剥离剂计为5到80重量%;以及基于光阻剥离剂之重量计为1到35重量%之抗蚀剂,其中该抗蚀剂系至少选自于醣类、醣醇、芳香族羟基合物、乙炔醇、有机羧酸化合物及其酐、以及三唑所组成群类之一种化合物。2.如申请专利范围第1项之光阻剥离剂,其进一步包括基于光阻剥离剂之重量计为5到60重量%之水。3.如申请专利范围第1项之光阻剥离剂,其中该抗蚀剂系葡萄糖醇或儿茶酚。4.如申请专利范围第1项之光阻剥离剂,其进一步包括适量的四甲基胺氢氧化物。图式简单说明:第1图系横断面图,其显示具有经利用光阻膜作为光罩而乾式蚀刻所形成的铝(Al-Cu)电路图样之半导体装置。第2图系横断面图,其显示使第1图之半导体装置以氧等离子灰化而移除光阻膜后之半导体装置。第3图系横断面图,其显示具有利用光阻膜作为光罩,经以铵锶(IV)硝盐溶液之湿式蚀刻所形成之铬(Cr)电路图样之液晶显示装置。