| 摘要 |
本发明系提供在不含Pb且将BaTiO#sB!3#eB!的部分Ba利用Bi-Na进行取代的半导体瓷器组成物中，于未使用Pb的情况下，可使居里温度朝正方向偏移，且室温中的电阻率可大幅降低之半导体瓷器组成物和其制造方法。分别准备未含有半导体化元素的BaTiO#sB!3#eB! 烧粉与(BiNa)TiO#sB!3#eB! 烧粉，将该等进行混合后，经粉碎、成形，再于氧浓度1%以下的惰性气体环境中施行烧结，便可获得组成式依[(BiNa)#sB!x#eB!Ba#sB!1-x#eB!]TiO#sB!3#eB!表示，而x满足0＜x≦0.3的半导体瓷器组成物。 |
