发明名称 BiMOS semiconductor integrated circuit having boosted voltage line.
摘要
申请公布号 EP0678969(A3) 申请公布日期 1998.01.28
申请号 EP19950105547 申请日期 1995.04.12
申请人 NEC CORPORATION 发明人 OKAMURA, HITOSHI
分类号 H01L27/06;H01L21/8249;H02M3/07;H03K19/08;H03K19/0944;(IPC1-7):H02M3/07;H03K19/094 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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