| 主权项 |
1.一种半导体元件之制作方法,包括:在去除施加至形成于一半导体晶圆上之一导电金属膜期间,于以一去除剂去除一光阻体之后,以含有一过氧化物之水之形式之清洗剂予以清洗。2.如申请专利范围第1项之半导体元件之制作方法,其中使用一基本之去除剂作为去除剂。3.如申请专利范围第1项之半导体元件之制作方法,其中使用一含有氟化物之去除剂作为去除剂。4.如申请专利范围第1项之半导体元件之制作方法,其中该光阻体被施加于该导电金属膜之上。5.如申请专利范围第1项之半导体元件之制作方法,其中该光阻体系于藉由微影技术形成遮罩之后,由蚀刻未遮罩之部分而形成为一遮罩之一光阻体层。6.如申请专利范围第1项之半导体元件之制作方法,其中该光阻体系于藉由微影技术形成遮罩之后,在灰化由蚀刻未遮罩部分所形成为一遮罩之光阻体所留下之光阻体残留物。7.如申请专利范围第1项之半导体元件之制作方法,其中该光阻体系藉由微影技术形成遮罩之后,由乾式蚀刻未遮罩之部分之配线结构形式,在一光阻体之侧壁部分与一导电膜上所显影之一保护性淀积膜。8.如申请专利范围第6或7项之半导体元件之制作方法,其中使用一基本之去除剂作为去除剂。9.如申请专利范围第6或7项之半导体元件之制作方法,其中使用一含有氟化物之去除剂作为去除剂。10.一种清洗半导体元件之清洗剂,包括:含有0.1至30%之选自过氧化氢,过氧化苯甲醯基,二烃基过氧化物,氢过氧化物,以及过酸中之一种或多种过氧化物之水。图示简单说明:第一图显示藉由具备有一光阻体被使用为遮罩之乾式蚀刻法所形成之具备有一铝配线本体(铝-矽-铜层)之半导体元件之横截面图示。第二图显示第一图之半导体元件之横截面图示,其中藉使用氧气电浆来灰化阻体以去除光阻体膜。 |
