发明名称 FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MANUFACTURE THEREOF AND DRIVING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 JPH104193(A) 申请公布日期 1998.01.06
申请号 JP19970087894 申请日期 1997.04.07
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD 发明人 MORII TOMOYUKI
分类号 H01L21/8247;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/824 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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