减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构

摘要

公开了一种用来制作基本上没有微管缺陷的碳化硅外延层的方法。此方法包含用液相外延方法，在碳化硅衬底上，从碳化硅在硅和一种使碳化硅在熔体中的溶解度增大的元素中的熔体中，生长一个碳化硅外延层。熔体中该元素的原子百分比相对于硅的原子百分比占优势。借助于在恰当条件下继续生长外延层，直至外延层的厚度达到使衬底中存在的微管缺陷不再重现于外延层中而终止由衬底传入外延层的微管缺陷，从而显著减少了外延层中微管缺陷的数目。

主权项

1.一种制作基本上没有微管缺陷的碳化硅外延层的方法，它包含：用籽晶升华技术生长一个碳化硅体晶体；用液相外延技术在产自体晶体的衬底上制作一个碳化硅第一外延层，直至此层的厚度足以终止由衬底传入第一外延层生长的微管缺陷，致使第一外延层的熔体生长中的微管缺陷的重现被显著减少；然后用化学汽相淀积法，在碳化硅的第一外延层上制作一个碳化硅第二外延层。