| 摘要 |
<p>Un transistor à effet de champ de type MOS, à puissance d'attaque de la grille par tranchées, comprend une zone formant corps (107) prévue dans une structure mésa entre des tranchées adjacentes. La concentration de dopage de la zone formant corps (107) est établie de telle sorte que cette zone (107) ne s'appauvrit pas totalement à des tensions de drain normales. Le transistor à effet de champ de type MOS comprend aussi une grille (108) qui est dopée avec un matériau du même type de conductivité que la zone formant corps (107). La largeur de la structure mésa et la concentration de dopage de la zone formant corps (107) et de la grille (103) sont établies de telle sorte que la zone formant corps (107) est totalement appauvrie par les effets combinés des jonctions du corps de la source et du corps du drain et de la grille (103). Par conséquent, le court-circuit classique du corps de la source peut être supprimé, ce qui permet d'obtenir une densité d'intégration des cellules supérieure, et une résistance à l'état passant inférieure tout en maintenant des niveaux acceptables de courant de fuite lorsque le transistor est à l'arrêt.</p> |
