绝缘栅异质结双极晶体管

摘要

本发明给出了一簇绝缘栅异质结双极晶体管，其特征在于采用了不同于衬底Si材料的窄禁带SiGe材料做为源区或准SiGe源区，并又采用宽禁带材料作为阳极或短路阳极。在本发明中，SiGe源区窄禁带发射极HBT具有很低的β值，使器件闭锁条件得不到满足，而宽禁带阳极的采用又使器件的阳极发射极注入能力提高，因而本发明从器件结构上彻底地消除了闭锁效应，并使器件的可靠性、电流能力、速度等性能有显著改善，另可作为崭新的小信号超高增益场控器件。

主权项

1、一种绝缘栅异质结双极晶体管，其特征在于它的源区采用了窄禁带异质SiGe材料，它包括：在高掺杂浓度Si衬底(1)的一面上有导电类型与其相反的低掺杂浓度漂移区(2)，在所述漂移区(2)的表面附近设置有导电类型与其相同的高掺杂浓度窄禁带异质SiGe源区(6)，并在其相邻处分别有导电类型与其相反的沟道区(3)和高掺杂浓度源极短路区(4)，所述的源极短路区(4)不须紧靠沟道区(3)的边缘，由所述的SiGe源区(6)和源极短路区(4)组成阴极区，在所述的阴极区局部表面和阴极区以外的Si表面形成有绝缘介质膜(10)，高掺杂浓度衬底(1)作为同质Si阳极区，从所述的阴极区表面、沟道区(3)上方绝缘介质膜(10)表面和阳极区(1)背面形成有导电性能良好的电极并相应引出K、G、A电极构成窄禁带异质SiGe源区纵向IGHBT。