用于形成半导体的元件隔离膜的方法

摘要

一种形成半导体器件的元件隔离膜的方法，包括步骤：在半导体基片上依序形成衬底氧化膜与第一氮化膜；通过使用元件隔离掩摸来过蚀刻第一氮化膜与衬底氧化膜，以便在半导体基片内形成第一孔；通过使用蚀刻溶液来清洁所获结构的整个上表面；形成第二氮化膜隔层；通过使用第一氮化膜与第二氮化膜隔离层作为在第一孔内形成第二孔；热氧化第二孔的表面，以便形成热氧化膜；以及去除第一氮化膜、衬底氧化膜及第二氮化膜隔层，从而形成元件隔离膜。

主权项

1.一种形成半导体器件的元件隔离膜的方法，包括以下各步骤：提供一半导体基片；在该半导体基片上依序形成一衬底氧化膜与第一氮化膜；借助于使用一元件隔离掩模来过蚀刻该第一氮化膜与该衬底氧化膜，以便在该半导体基片内形成一第一孔；借助于使用一蚀刻溶液来清洁该所获结构的整个上表面；在该选择性蚀刻的第一氮化膜与衬底氧化膜及该第一孔的侧壁上形成第二氮化膜隔层；借助于使用该第一氮化膜与第二氮化膜隔层作为掩模而在该半导体基片的该第一孔内形成第二孔；热氧化该第二孔的表面，以便形成一热氧化膜；以及去除该第一氮化膜、衬底氧化膜及第二氮化膜隔层，从而形成元件隔离膜。