| 发明名称 | 磁阻变换器、形成磁膜的方法和磁记录/重放驱动器 | ||
| 摘要 | 此发明涉及到磁阻变换器、形成磁膜的方法和磁记录/重放驱动器，更具体地说，它涉及到一种磁阻变换器，借助自旋阀磁致电阻，把磁记录介质中信号磁场的变化转换成电阻率的变化，以及形成磁膜的方法和磁记录驱动器。 | ||
| 申请公布号 | CN1164088A | 申请公布日期 | 1997.11.05 |
| 申请号 | CN97103102.9 | 申请日期 | 1997.02.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 金井均;兼淳一;山田健一郎 |
| 分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种磁电阻变换器，包括： 一个多层膜，它含有顺序迭加的第一软磁性层、非磁性层、第 二软磁性层和反铁磁性层，该第一软磁性层含有由(Co<sub>y</sub>Fe<sub>100-y</sub>)<sub>100-x</sub>B<sub>x</sub>合金层和(Co<sub>y</sub>Fe<sub>100-y</sub>)<sub>100-x</sub>C<sub>x</sub>合金层之一构成的一个合金层，其中x 和y表示原子百分数(at％)，y的范围是85-95at％，而x的范围 是2-9at％，该合金层紧靠所述的非磁性层，该合金层具有面心立方 晶格结构，其晶格常数小于Co<sub>y</sub>Fe<sub>100-y</sub>合金的晶格常数；以及 一对电极，它形成在所述的多层膜上，允许读出电流通过所述 的多层膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||