| 主权项 |
1.一种耦合至一资料线以接收一差动讯号及产生一逻辑位准输出讯号之设备,包含:一差动电压至电流转换单元用以接收一差动电压讯号且施加一电流讯号至该资料线;及一电流至全摆动电压转换单元,用以接受来自该资料线之电流讯号且用以产生一全摆动输出电压。2.如申请专利范围第1项之设备,其中该电流至全摆动电压转换单元包含:一电流至小的摆动电压转换子单元用以接受来自该资料线之电流讯号且以此产生一小的摆动电压讯号;及一小的摆动至全摆动电压转换子单元用以接收该小的摆动讯号且以此产生一全摆动讯号。3.如申请专利范围第2项之设备,其中该小的摆动电压至大的摆动电压单元包含:一比较器;及一参考电压装置用以提供一参考电压使得该小的摆动电压可以对此做比较。4.如申请专利范围第3项之设备,其中该参考电压装置包含一取样及保持电路。5.如申请专利范围第4项之设备,其中该差动讯号系由一动态随机存取记忆体储存单元之储存单元中之感测放大器提供。6.如申请专利范围第5项之设备,其中该全摆动讯号适合用于该动态随机存取记忆体储存单元中之CMOS电路。7.如申请专利范围第6项之设备,其中该比较器包含一差动放大器。8.提供一非差动电流模式资料路径之方法,该方法包含下列步骤:将来自感测放大器之差动输出讯号转换成一非差动电流模式讯号;将该非差动电流模式讯号传送至一资料线;将由该资料线发送之该非差动电流模式讯号转换成一小的摆动电压讯号;及将该小的摆动电压讯号转换成一全摆动电压讯号。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该转换该小的摆动电压讯号之步骤包含下列步骤:将该小的摆动电压讯号与一参考电压相比较。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该转换该小的摆动电压讯号之步骤包含下列步骤:在该感测放大器未感测一储存单元之电压大小之期间,将该小的摆动电压讯号取样,该取样提供该参考电压。11.如申请专利范围第10项之方法,其中转换该小的摆动电压讯号之该步骤包含储存该参考电压之步骤。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该转换该小的摆动电压讯号之步骤包含将该参考电压与该小的摆动电压相比较之步骤。13.在一动态随机存取记忆单元中,一用以从感测放大器发送讯号至耦合至该记忆单元之资料线所伴随的设备,该设备包含:用以将来自该感测放大器之差动电压讯号转换成一非差动电流模式讯号之第一装置,该第一装置将该非差动电流模式讯号传送至一资料线;及用以将来自该资料线之非差动电流模式讯号转换成一适合用于CMOS电路之全摆动电压讯号。14.如申请专利范围第13项之设备,其中该第二装置包含;用以将该非差动电流模式讯号转换成一小的摆动电压讯号之第三装置;及用以将该小的摆动电压讯号转换成一全摆动电压讯号之第四装置。15.如申请专利范围第14项之设备,其中该第四装置包含:储存一参考电压之储存装置;及比较该小的摆动电压讯号与该参考电压之比较装置。16.如申请专利范围第15项之设备,其中该参考电压系在来自该感测放大器之差动讯号为相等时之期间产生。17.如申请专利范围第16项之设备,其中该比较装置包含一差动放大器,该差动放大器包含传送至第一输入端之该参考电压及传送至第二输入端之该小的摆动讯号。18.如申请专利范围第17项之设备,其中该储存装置系一电容。19.如申请专利范围第18项之设备,其中该第三装置包含电流反射镜。20.一记忆体单元,包含:一储存单元阵列;一缓冲器单元;一资料线;用以从该缓冲器单元经由该资料线传送讯号至该储存单元阵列之写入装置;及用以从该储存单元阵列经由该资料线传送讯号至该缓冲器单元之读装置,该读出装置系如申请专利范围第1项所述者。图示简单说明:第一图表示一本发明之资料路径非差动电流模式装置之流程图。第二图表示一本发明之资料路径非差动电流模式装置之图解电路图。第三图表示一本发明之模拟READ'0'之变化。第四图表示一本发明之模拟READ'1'之变化。 |
