发明名称 PROCESS FOR MANUFACTURE OF A GMR BRIDGE SENSOR AND A GMR BRIDGE SENSOR
摘要 <p>Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines GMR-Brückensensors sowie den Brückensensor selbst, bei dem zur Feststellung eines magnetischen Feldes magnetoresistive Widerstände (1 - 4) in Form einer Brücke zusammengeschaltet sind. Die Widerstände bestehen aus einem Material, das den GMR-Effekt (Giant Magnetoresistive Ratio Effekt) aufweist. Die magnetoresistive Empfindlichkeit der einzelnen Widerstände wird durch Tempern hervorgerufen. Das Tempern der Widerstände erfolgt durch ausgewähltes Einspeisen eines Stromes, welcher für das Erreichen der für das Tempern notwendigen Temperatur ausreicht, in die Brückenanschlüsse (5 - 8). Je nach Beschaltung der Brückenanschlüsse werden damit die Widerstände mit der für den GMR-Effekt notwendigen Eigenschaft einzeln oder paarweise versehen. Als Material für die Widerstände wird insbesondere ein Material der Klasse der diskontinuierlichen Mehrschichtmaterialien, insbesondere NiFe/Ag, verwendet, bei welchen die GMR-Eigenschaft durch einmaliges Tempern mit einer bestimmten Temperatur hervorgerufen wird.</p>
申请公布号 WO1997039364(A1) 申请公布日期 1997.10.23
申请号 DE1997000110 申请日期 1997.01.23
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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