| 发明名称 | 单晶拉制装置 | ||
| 摘要 | 单晶拉制装置包括设置在气密的容器2内用来存储半导体熔料21的外坩埚11以及包括圆柱形隔体的安装在外坩埚11上以构成双坩埚的内坩埚30，其中，从存储在内坩埚30内的半导体熔料21中拉制半导体单晶26。内坩埚30由石英构成并且包括内层A、外层C和位于内层和外层之间的中间层B，并且，中间层B由具有比构成内坩埚30的内层A和外层C的石英所包含的气泡含量更高的气泡含量的石英构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1162027A | 申请公布日期 | 1997.10.15 |
| 申请号 | CN97101233.4 | 申请日期 | 1997.02.05 |
| 申请人 | 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;三菱麻铁里亚尔石英材料株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社 | 发明人 | 田口裕章;热海贵;降屋久;福井正德;喜田道夫 |
| 分类号 | C30B15/10 | 主分类号 | C30B15/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种单晶拉制装置包括设置在气密的容器内用来存储半导体熔料的外坩埚，以及包括圆柱形隔体的安装在所述外坩埚上以构成双坩埚的内坩埚，并且，其中，从存储在所述内坩埚内的半导体熔料中拉制半导体单晶，其特征在于：所述内坩埚由石英构成并且包括内层、外层和位于所述内层和所述外层之间的中间层，以及所述中间层由具有比构成所述内坩埚的内层和外层的石英所包含的气泡含量更高的气泡含量的石英构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||