| 主权项 |
1.一种处理装置,其特征为具备,于被处理体施实一系列处理之复数处理单元沿着垂直方向形成于多层配置之复数处理组项,于这些复数处理单元组项之间规定被处理体运送空间及;由可移动前述被处理体运送空间于垂直方向对于前述各处理单元有着被处理体之接受可能之运送构件,为了运送被处理体之运送手段及;缓和前述被处理体运送空间之环境变动之手段。2.如申请专利范围第1项之处理装置,其中缓和前述环境变动之手段系,有着于前述被处理体运送空间形成降流之手段及,控制降流之风流之手段及,控制前述被处理体空间之压力之手段。3.如申请专利范围第2项之处理装置,其中缓和前述环境变动之手段系,更有控制前述被处理体运送空间之温度之温度控制手段。4.如申请专利范围第1项之处理装置,其中缓和前述环境变动之手段系,有着,由前述运送构件之垂直方向之移动排出所压缩之空气之排出手段。5.如申请专利范围第4项之处理装置,其中前述排出手段系,有着排气口及,排气风扇。6.如申请专利范围第4项之处理装置,其中前述排出手段系,有着于前述运送手段之前端部及下端部设有各自之排气口及,因应这些排气口各自之排气风扇及,于前述运送构件之上昇时系,因应前述前端部之排气口将排气风扇之输出变大,于前述运送构件之下降时系,因应前述下端部之排气口将排气风扇之输出变大之手段。7.如申请专利范围第4项之处理装置,其中前述排气手段系,有着沿着垂直方向所设置之复数排气口及,各自因应这些排气口之复数排气风扇,因应最下部之排气口排气风扇之排气量则为最大。8.如申请专利范围第1项之处理装置,其中前述运送手段系,有着复数之运送构件。9.如申请专利范围第1项之处理装置,其中前述被处理体运送空间之压力则设定比装置外之压力高。10.一种处理装置,其特征为,具备于被处理体施实一系列处理之复数处理单元沿着垂直方向形成多层配置之复数处理单元组项,于这些复数处理单元组项之间规定被处理体运送空间,及;由可移动前述被处理体运送空间于垂直方向对于前述各处理单元有着被处理体之接受可能之运送构件,为了运送被处理体之运送手段及;于前述被处理体运送空间形成清净空气之降流之手段及;阻止从前述被处理体运送空间,空气流入于前述各处理单元之手段。11.如申请专利范围第10项之处理装置,其中阻止前述空气之流入之手段系,有着于前述被处理体运送空间沿着垂直方向所设置之管道及,将前述被处理体运送空间之空气排出于前述管道之排出手段。12.如申请专利范围第10项之处理装置,其中阻止前述空气之流入之手段系,有着形成从前述各处理单元往前述被处理体运送空间之清净空气之流动手段。13.如申请专利范围第10项之处理装置,其中前述运送手段系有着复数运送构件。14.如申请专利范围第10项之处理装置,其中前述被处理体运送空间之压力则设定比装置外之压力高。15.一种处理装置,其特征为,具备于被处理体施实一系列处理之复数处理单元沿着垂直方向形成多层配置之复数处理单元组项,于这些复数处理单元组项之间规定被处理体运送空间,及;由可移动前述被处理体运送空间于垂直方向对前述各处理单元有着被处理之接受可能之运送构件,为了运送被处理体之运送手段及;设置于前述被处理体运送空间上方之吸气口及;设置于前述被处理体运送空间下方之排气口及;连接前述吸气口与排气口,形成循环路之配管及;在前述被处理体运送空间形成之降流从吸气口朝排气口方向使清净空气循环之送风手段。16.如申请专利范围第15项之处理装置,其中,又,有着控制循环之清净空气风量之风量控制手段。17.如申请专利范围第16项之处理装置,其中前述风量控制手段系,有着吸收外气之外气吸收部及,设置于外气吸收部之缓冲器。18.如申请专利范围第16项之处理装置,其中,又,有着控制前述被处理体运送空间之压力之压力控制手段。19.如申请专利范围第16项之处理装置,其中,又,有着控制前述被处理体运送空间之温度之温度控制手段。20.如申请专利范围第16项之处理装置,其中前述运送手段系有着,沿着伸长于前述被处理体运送空间,为了支撑运送构件之支撑构件,此支撑构件系有着,沿着其垂直方向所设置之管道及,将前述被处理体运送空间之空气排出于前述管道之排出手段。21.如申请专利范围第20项之处理装置,其中前述排出手段系,有着排气口及排气风扇。22.如申请专利范围第20项之处理装置,其中前述排出手段系,有着沿着垂直方向所设置之复数排气口及,各自因应这些排气口之复数排气风扇,因应最下部之排气口排气风扇之排气量则为最大。23.如申请专利范围第15项之处理装置,其中前述运送手段系有着复数之运送构件。24.如申请专利范围第15项之处理装置,其中,前述被处理体运送空间之压力则,设定比装置外之压力高。25.一种处理装置,其特征为具备,于被处理体施实一系列处理之复数处理单元沿着垂直方向形成于多层配置之复数处理单元组项,于这些复数处理单元组项之间规定被处理体运送空间,及;由可移前述被处理体运送空间于垂直方向对于前述各处理单元有着被处理体接受可能之运送构件,为了运送被处理体之运送手段及;于前述被处理体运送空间沿着垂直方向所设置之管道及;由前述运送构件之垂直方向之移动排出所压缩之空气于管道之排出手段。26.如申请专利范围第25项之处理装置,其中前述排出手段系,有着排气口及排气风扇。27.如申请专利范围第25项之处理装置,其中前述排出手段系有着,于前述管道之前端及下端部各自所设置之排气口及,各自因应这些排气口之排气风扇及,于前述运送构件之上昇时系,因应前述前端部之排气口提高排气风扇之输出,于前述运送构件之下降时系,因应前述下端部之排气口提高排气风扇之输出之手段。28.如申请专利范围第25项之处理装置,其中前述排出手段系有着,沿着垂直方向所设置之复数排气口及,各自因应这些排气口之复数排气风扇,因应最下部之排气口排气风扇之排气量则为最大。29.如申请专利范围第27项之处理装置,其中前述排出手段系有着,于前述管道之前端其他之排气口。30.如申请专利范围第25项之处理装置,其中前述运送手段系有着复数运送构件。31.如申请专利范围第25项之处理装置,其中前述运送手段系有着围住前述运送礼之移动范围之筐体。32.如申请专利范围第25项之处理装置,其中前述被处理体运送空间之压力则设定比装置外之压力高。33.一种处理装置,其特征为具备,于被处理体施实一系列处理之复数处理单元沿着垂直方向形成多层配置之复数处理单元组项,于这些复数处理单元组项之间规定被处理体运送空间,及;由可移动前述被处理体运送空间于垂直方向对于前述各处理单元有着被处理体接受可能之运送构件及围住此运送构件之移动范围之筐体,为了运送被处理体之运送手段及;于前述被处理体运送空间形成清净空气之降流手段及;形成从前述各处理单元至前述被处理体运送空间之清净空气之流动手段;从前述各处理单元之中流向于前述被处理体运送空间之清净空气则由降流沿着前述筐体外侧流向于下方。34.如申请专利范围第33项之处理装置,其中前述筐体系形成圆筒状。35.如申请专利范围第33项之处理装置,其中前述筐体中之压力则比被处理体运送空间之其他部份压力低。36.如申请专利范围第33项之处理装置,其中于前述筐体之上部有着导入清净空气之导入口。37.如申请专利范围第36项之处理装置,其中前述导入口系,有着为了调节导入之空气量之调整手段。38.如申请专利范围第33项之处理装置,其中前述运送手段系有着复数运送构件。39.一种处理装置,其特征为具备,涂敷光阻剂之光阻剂涂敷单元及包含显像光阻图案之显像单元之处理单位则重叠形成于垂直方向最少一样之第1处理单元及;进行被处理体之调整之调整单元,烘乾被处理体之烘乾单元,冷却被处理体之冷却单元,于被处理体进行附着处理之附着单元及包含伸长单元之一部份或全部之处理单元则重叠形成于垂直方向最少一样之第2处理单元;前述第1处理单元组项系,有着前述涂敷单元形成配置于前述显像单元之下方,涂敷显像处理装置。40.如申请专利范围第39项之处理装置,其中又有着,缓和前述被处理体运送空间之环境变动手段。41.如申请专利范围第39项之处理装置,其中又有着,于前述被处理体运送空间形成清净空气之降流手段及;阻止从前述被处理体运送空间,至前述各处理单元之空气流入手段。42.一种处理装置,其特征为具备,涂敷光阻剂之光阻剂涂敷单元及包含显像光阻图案之显像单元之处理单元重叠形成于垂直方向最少一样之第1处理单元组项及;进行被处理体之调整之调整单元,烘乾被处理体之烘乾单元,于被处理体进行附着处理之附着单元及包含伸长单元之一部份或全部之处理单元重叠形成于垂直方向最少一样之第2处理单元组项;前述第2处理单元组项系,有着前述冷却单元形成配置于前述烘乾单元之下方,涂敷显像处理装置。43.如申请专利范围第42项之处理装置,其中前述第2处理单元系,于前述冷却单元与前述烘乾单元之间有着配置伸长单元之位置。44.如申请专利范围第42项之处理装置,其中更有着缓和前述被处理体运送空间之环境变动之手段。45.如申请专利范围第42项之处理装置,其中更有着于前述被处理体运送空间形成清净空气之降流之手段及;阻止从前述被处理体运送空间,至前述各处理单元之空气流入。46.一种处理装置,其特征为具备,对于被处理体进行光阻剂涂敷及显处理之涂敷显像处理系统,对于被处理体进行光阻剂涂敷及包含显像处理之一系列处理之处理部及;在与其他系统之间及与前述处理部之间进行被处理体之接受之运送部及;在与前述处理部之间及与曝光装置之间进行被处理体之接收之分界面部,前述处理部系备有,涂敷光阻剂之光阻剂涂敷单元及包含显像光阻图案之显像单元重叠形成于垂直方向最少一样之第1处理单元组项及;进行被处理体之调整之调整单元,烘乾被处理体之烘乾单元,冷却被处理体之冷却单元,于被处理体进行附着之附着单元及包含伸长单元之一部份或全部之处理单元重叠形成于垂直方向最少一样之第2处理单元组项;前述第2处理单元组项系,有着前述冷却单元形成配置于烘乾单元下方。47.如申请专利范围第46项之处理装置,其中前述第2处理单元系,于前述冷却单元与前述烘乾单元之间有着配置前述伸长单元之位置。48.如申请专利范围第46项之处理装置,其中又有着缓和前述被处理体运送空间之环境变动之手段。49.如申请专利范围第46项之处理装置,其中又有着于前述被处理体运送空间形成清净空气之降流之手段及;阻止从前述被处理体运送空间,至各处理单元之空气流入之手段。图示简单说明:图一系,表示关于此发明之一种状态具备处理装置之半导体光阻剂液体涂敷显像处理系统。图二系,表示图一之光阻剂液体涂敷显像处理系统侧面图。图三系,表示图一之光阻剂液体涂敷显像处理系统背面图。图四系,表示图一之光阻剂液体涂敷针对显像处理系统清净空气流通之概略正面图。图五系,扩大表示关于适用于图一之系统此发明之一种状态之处理装置之重要部份其一部份之纵剖面图。图六A,六B系,表示各自,关于适用于图一之系统此发明之一种状态,作为处理装置之压力调整手段之缝隙缓冲器剖面图及平面图。图七系,表示关于适用于图一系统之此发明一种状态处理装置之主晶片运送机构之概略斜视图。图八系,表示图七之主晶片运送机构之重要部份之构成之纵剖面图。图九系,表示将前述主晶片运送机构朝向图八之箭头A方向所看到之状态之剖面平面图。图十系,表示将前述主晶片运送机构朝向图八之箭头B方向所看到之状态之内侧侧面图。图十一系,表示将前述主晶片运送机构朝向图八之箭头C方向所看到之状态之内侧侧面图。图十二系,表示关于此发明之其他状态具备处理装置之半导体晶片之光阻剂液体涂敷针对显像处理系统清净空气之流通概略背面图。图十三系,表示针对图十二之处理系统清净空气之流通概略侧面图。图十四系,表示关于此发明之前述其他状态将处理装置之主晶片运送机构切开一部份之概略叙视图。图十五系,表示图十四之主晶片运送机构之重要部份,构成之纵剖面图。图十六系,表示将前述主晶片运送机构朝向图十五之箭头A方向所看见之状态之剖面平面图。图十七系,表示将前述主晶片运送机构朝向图十五之箭头B方向所看见之状态之内侧侧面图。图十八系,表示将前述主晶片运送机构朝向图十五之箭头C方向所看见之状态之内侧侧面图。图十九系,表示前述主晶片运送机构之清净空气导入口构造之剖面图。图二十系,此发明体为表示主晶片运送机构之其他例之重要部份构成之纵剖面图。 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