| 主权项 |
1.一种用以处理一工件之电浆反应器,该反应器包含:一反应器围壁界定一处理室;一基座在室内以支承该工件于其处理中;一半导体窗口电极置于该基座上面;一气体入口系统用以容许一电浆先驱气体进入该室内;一电接头联接至该半导体窗口电极;一感应天线邻接该半导体窗口电极之一边相对于该基座,用以耦合功率通过该半导体窗口电极而进入该室之内部,其中该半导体窗口电极包含:(a)一置于上面之顶部分;以及(b)一围绕之边部分,该半导体窗口电极之顶和边部分围封该室之一处理区,用以限制电浆在该工作之上面。2.如申请专利范围第1项之反应器,其中该围封之边部分自顶部分伸展至该工件支承基座,该反应器另包含:(a)一狭窄通道在该边部分和基座之间,(b)一蜿曲通道在边部分和基座之间。3.如申请专利范围第1项之反应器,另包含:一加热器,热联接至该半导体窗口电极;以及一冷却板,热联接至该半导体窗口电极。4.如申请专利范围第1项之反应器,另包含:一通道通过该半导体窗口电极,该通道包含下列三种装置之一:(a)一晶片开缝阀孔,(b)一唧打环带孔,(c)一气体入口;以及多个电浆限制磁铁邻接该通道。5.如申请专利范围第4项之反应器,其中该通道包含一泵唧环带孔,该反应器另包含:一泵唧环带接近该半导体窗口边部分之一周边;一泵联接至该泵唧环带;以及其中,该通道伸展通过半导体窗口之边部分而自该处理区至泵唧环带。6.如申请专利范围第4项之反应器,另包含一防护包封层围绕每一该磁铁。7.如申请专利范围第5项之反应器,另包含磁铁冷却器,与至少一个该磁铁呈热接触。8.如申请专利范围第4项之反应器,另包含一可移出垫衬覆盖该泵唧环带之一内表面。9.如申请专利范围第8项之反应器,另包含一垫衬冷却器与该可移除垫衬呈垫接触。10.如申请专利范围第1项之反应器,其中该气体入口系统至少包含一个气体入口通过半导体窗口电极。11.如申请专利范围第10项之反应器,其中该多个气体入口系可单独地控制,并置于该工件之不同径向位置之上面,用以个别地影响该工件之不同径向位置上面之电浆状况。12.如申请专利范围第11项之反应器,其中该感应天线包含电分开之子天线部分邻近该工件之不同之各自之径向位置。13.如申请专利范围第12项之反应器,其中该分开之子天线部分包含:一内天线绕组置于该半导体窗口电极之顶部分上面,以及置于该工件之中央部分之上面;以及一外环状天线部分置于该半导体窗口之顶部分上面,以及置于该工件之周边环状部分之上面。14.如申请专利范围第13项之反应器,其中该分开之子天线部分包含:一顶部天线绕组,置于该半导体窗口电极之顶部分上面;以及一圆筒形边天线绕组,围着该半导体窗口电极之边部分卷挠。15.如申请专利范围第12项之反应器,其中该半导体窗口电极包含电分开之诸部分,此部分包含一中央部分和一边部分,以及分开之接头用以应用分开之射频电位至该半导体窗口电极之分开之部分。16.如申请专利范围第15项之反应器,该分开之半导体窗口电极部分系邻近该工作之不同之各自之径向位置。17.如申请专利范围第15项之反应器,其中该分开之半导体窗口部分包含:一内圆盘形顶部分;一外环带顶部分。18.如申请专利范围第17项之反应器,其中该半导体窗口边部分与该外环带顶部分接合。19.如申请专利范围第17项之反应器,其中该半导体窗口边部分系自该外环带顶部分电分开,并包含另一该分开之半导体窗口部分。20.如申请专利范围第1项之反应器,其中置于该半导体窗口电极之顶部分上面者系大致上为扁平状,以及该感应天线系与之一致。21.如申请专利范围第1项之反应器,其中置于该半导体窗口电极之顶部分上面者系圆顶形。22.如申请专利范围第21项之反应器,其中该感应天线系与该半导体窗口之圆顶形顶部分一致。23.如申请专利范围第22项之反应器,其中该圆顶形顶部分有一多半径圆顶形状之有一最大半径在其周边以及一最小半径在其内部。24.一种用以处理一工件之电浆反应器,该反应器包含:一反应器围壁界定一室;一基座在该室内用以支承该工件;一半导体窗口置于基座上面;以及一感应天线邻接该半导体窗口之一边相对基座,其中半导体窗口包含:(a)一置于上面之顶部分;以及(b)一包围之边部分,该半导体窗口之顶和边部分围封该室之一处理区,用以界限电浆于该工件之上面。25.如申请专利范围第24项之反应器,其中该包围之边部分自顶部分伸展至该工件支承基座,该反应器另包含:一轴环在该边部分和基座之间,藉提供下列两项中之至少一项,用以阻挡该边部分和基座之间之电浆流动:(a)一狭窄通道在该边部分和基座之间,(b)一蜿曲通道在该边部分和基座之间。26.如申请专利范围第24项之反应器,另包含:一加热器,热联接至该半导体窗口;以及一冷却板,热联接至该半导体窗口。27.如申请专利范围第24项之反应器,另包含:一通道通过该半导体窗口电极,该通道包含下列其中之一项:(a)一晶片开缝阀孔,(b)一泵唧环带孔,(c)一气体入口;以及多个电浆限制磁铁邻近该通道。28.如申请专利范围第27项之反应器,其中该通道包含一泵唧环带孔,该反应器另包含:一泵唧环带邻近该半导体窗口边部分之一周边;一泵联接至该泵唧环带;以及其中该通道伸展通过该半导体窗口边部分,自该处理区至泵唧环带。29.如申请专利范围第27项之反应器,另包含一防护包封层围绕每一该磁铁。30.如申请专利范围第28项之反应器,另包含一磁铁冷却器、与该磁铁之至少一个呈热接触。31.如申请专利范围第27项之反应器,另包含一可移除垫衬覆该泵唧环带之一内表面。32.如申请专利范围第31项之反应器,另包含一垫衬冷却器,与该可移除垫衬呈热接触。33.如申请专利范围第24项之反应器,其中该气体入口系统包含多个气体入口通过半导体窗口。34.如申请专利范围第33项之反应器,其中该多个气体入口系可单独地控制,并置于该工件之不同径向位置上面,用以个别地影响工件之不同径向位置上面之电浆状况。35.如申请专利范围第24项之反应器,其中该感应天线包含电分开之子天线部分临近该工件之不同之各自之径向位置。36.如申请专利范围第25项之反应器,其中该分开之子天线部分包含:一内天线绕组,置该半导体窗口之顶部分上面,并置于工件之中央部分之上面;以及一外环状天线部分,置于半导体窗口之顶部分上面,并置于该工件之周边环状部分之上面。37.如申请专利范围第26项之反应器,其中该分开之子天线部分包含:一顶部天线绕组,置于该半导体窗口之顶部分上面;以及一圆筒形边天线绕组,围绕该半导体窗口之边部分卷挠。38.如申请专利范围第25项之反应器,其中该半导体窗口包含电分开诸部分,此等部分包含一中央部分和一边部分,以及个别接头用以应用个别之射频电位至该半导体窗口之分开诸之部分。39.如申请专利范围第38项之反应器,其中该分开之半导体窗口诸部分系邻近工件之不同之各自之径向位置。40.如申请专利范围第38项之反应器,其中该分开之半导体窗口诸部分包含:一内圆盘形顶部分;一外环带顶部分。41.如申请专利范围第40项之反应器,其中该半导体窗口边部分系与该外环带顶部分相接合。42.如申请专利范围第40项之反应器,其中该半导体窗口边部分系自该外环带顶部分电分开,并包含该分开之半导体窗口部分之另一个。43.如申请专利范围第24项之反应器,其中该置于该半导体窗口之顶部分上面者大致上系扁平状,以及该感应天线系与其呈一致形状。44.如申请专利范围第24项之反应器,其中该置于该半导体窗口之顶部分上面者系圆顶形状。45.如申请专利范围第44项之反应器,其中该感应天线系与该半导体窗口之圆顶形之顶部分一致形状。46.如申请专利范围第45项之反应器,其中该圆顶形之顶部有一多半径圆顶形状之有一最大半径在其周边以及一最小半径在其内部者。47.一种用以处理一半导体晶片之射频电浆反应器,并包含一全部非金属之围壁,用以界定电浆于一处理区内于置该晶片之上面。48.如申请专利范围第47项之反应器,其中该非金属围壁包含半导体物质。49.如申请专利范围第48项之反应器,其中该非金属围壁包含电介质物质。50.如申请专利范围第48项之反应器,其中该半导体物质包含含有硅及碳化硅之一级物质中之一。51.如申请专利范围第49项之反应器,其中该电介质物质包含一级含有氮化硅,氮化铝,石英及氧化铝中之一种。52.如申请专利范围第49项之反应器,另包含一电接头连接至该围壁,用以应用一电位至该处,藉其离子之碰撞用以促进连续之清理。53.如申请专利范围第49项之反应器,另包含一加热器和一冷却器热联接至该围壁。54.如申请专利范围第53项之反应器,其中该围壁包含其电分开之置于上面之顶部分和包封边部分,以及其中该加热器和冷却器包含可分开地控制之加热及冷却元件对,热联接至围壁之该顶和边部分之各自之一。55.如申请专利范围第47项之反应器,另包含:一通道经过该非金属围壁,该通道包含下列三项中之一项:(a)一晶片开缝阀孔,(b)一泵唧环带孔,(c)一气体入口;以及多个电浆限制磁铁邻接该通道。56.如申请专利范围第45项之反应器,其中该通道包含一泵唧环带孔,该反应器另包含:一泵唧环带邻近该非金属围壁之一周边,一泵联接至泵唧环带;以及其中,该通道伸展通过该非金属围壁,自该处理区至该泵唧环带。57.如申请专利范围第46项之反应器,另包含一防护包封层围绕每一该磁铁。58.如申请专利范围第46项之反应器,另包含一磁铁冷却器,与该磁铁之至少一个呈热接触。59.如申请专利范围第45项之反应器,另包含一可移除垫衬覆盖泵唧环带之一内表面。60.如申请专利范围第59项之反应器,另包含一垫衬冷却器与该可移除垫衬呈热接触。61.如申请专利范围第47项之反应器,另包含多个气体入口通过该围壁。62.如申请专利范围第61项之反应器,其中该多个气体入口系可单独地控制,并邻近该工件之不同径向位置,用以单独地影响工件之不同径向位置上面之电浆状况。63.如申请专利范围第62项之反应器,其中该感应天线包含电分开之子天线部分,邻近工件之不同之各自之径向位置。64.如申请专利范围第63项之反应器,其中该分开之子天线部分包含:一内天线绕组置于围壁之顶部分上面,并置于工件之中央部分之上面;以及一外环状天线部分,置于围壁顶部分之上面,并置于该工件之周边环状部分上面。65.如申请专利范围第64项之反应器,其中该分开之子天线部分包含:一顶天线绕组置于该围壁之顶部分上面;以及一圆筒形边天线绕组围着该围壁之边部分卷挠。66.如申请专利范围第63项之反应器,其中该围壁包含电分开之诸部分,此等部分包含一中央部分和一边部分,以及分开之接头用以应用分开之射频电位至围壁之该分开诸部分。67.如申请专利范围第66项之反应器,其中该分开之围壁诸部分系各邻近工件之不同之各自之径向位置。68.如申请专利范围第66项之反应器,其中该分开之围壁诸部分包含:一内圆盘形顶部分;一外环带顶部分。69.如申请专利范围第68项之反应器,其中该围壁边部分与该外环带顶部分接合。70.如申请专利范围第68项之反应器,其中该围壁边部分系自该外环带顶部分电分开,并包含该分开之围壁诸部分之另一部分。71.如申请专利范围第54项之反应器,其中置于该围壁之顶部分上面者大致系扁平形状,以及该感应天线系与其呈一致形状。72.如申请专利范围第54项之反应器,其中该置于该围壁之顶部分上面者系圆顶形状。73.如申请专利范围第72项之反应器,其中该感应天线系与该围壁之圆顶形顶部分一致。74.如申请专利范围第73项之反应器,其中该圆顶形之顶部分有一多半径圆顶形状之有一最大半径在其周边以及一最小半径在其内部。75.如申请专利范围第47项之反应器,另包含一晶片基座,用以支承供在反应器内作处理之一半导体晶片,以及其中该围壁包含一中央围壁件,和一边围壁件自该中央围壁件电绝缘,该反应器另包含:第一和第二射频电源分别地联接至该中央围壁件,边围壁件和该基座中之两个,该第一和第二射频电源别地以第一和第二射频频率提供射频功率;以及射频滤波器,用以自另一个之射频频率绝缘每一该第一和第二射频电源。76.如申请专利范围第47项之反应器,另包含:至少一个通道经过该围壁。77.如申请专利范围第76项之反应器,另包含:一电浆限制磁铁邻近该通道。78.如申请专利范围第76项之反应器,其中该通道有一狭窄宽高比,用以促进该通道内之电浆之再组合。79.如申请专利范围第76项之反应器,其中该通道提供一蜿曲路线,用以促进该通道内之电浆之再组合。80.一种在一射频电浆反应器内处理一半导体晶片之方法,此反应器有一底座用以支承此晶片于反应器之室内者,该方法包含:提供一围壁,用以限制电浆在室之一处理区内该晶片之上面;防止以电浆处理之产物之淀积于围壁上。81.如申请专利范围第80项之方法,其中防止淀积之步骤包含下列各项之至少一项:(a)保持围壁之温度高于一临界凝结温度;以及(b)应用一射频电位至该围壁,以促进该围壁在该晶片之电浆处理中之溅射。82.如申请专利范围第81项之方法,其中此防止淀积之步骤包含(a)和(b)两者。83.如申请专利范围第80项之方法,其中该反应器包含一通道经过该围壁,该通道包含下列三项之一:(a)一晶片开缝阀孔,(b)一泵唧环带孔,(c)一气体入口,该方法另包含:防止充电粒子自该处理区通过该通道之泄漏。84.如申请专利范围第83项之方法,其中防止充电粒子通过该通道排泄之步骤包含收缩该通道或至少下列两种状况之一:(a)一狭窄沟道,以及(b)一蜿曲沟道。85.如申请专利范围第83项之方法,其中防止充电粒子通过该通道排泄之步骤包含:放置电浆限制磁铁邻近该通道。86.如申请专利范围第85项之方法,其中该电浆限制磁铁包含一对相互面向之磁铁横越该孔,并有其磁极成直线对准,以便能对移动通过该通道之充电粒子传送一侧向加速。87.如申请专利范围第85项之方法,另包含提供防护包封围绕每一电浆限制磁铁。88.如申请专利范围第85项之方法,另包含冷却该电浆限制磁铁。89.如申请专利范围第85项之方法,其中该反应器有一抽空泵以及一泵唧环带包围该围壁之一周边,以及一孔通过该围壁,用以容许气体自该处理区流动至该泵唧环带,该方法另包含:提供一垫衬在该泵唧环带之内表面上面;以及促使已进入泵唧环带之电浆处理之副产物之凝结在该垫衬上。90.如申请专利范围第89项之方法,其中促使凝结之步骤包含保持该垫衬之温度低于一临界凝结温度。91.如申请专利范围第80项之方法,其中该围壁系半导体物质所制成,以及其中该方法另包含:耦合电浆射频源功率通过该围壁进入该处理区。92.如申请专利范围第85项之方法,其中该反应器另包括一感应线圈邻近该围壁之内表面,以及其中耦合电浆射频功率之步骤包含感应式地耦合电浆射频源功率自该感应线圈通过该围壁。93.如申请专利范围第92项之方法,其中感应式地耦合之步骤包含感应式地耦合不同量之射频功率,通过以该晶片为准之围壁之不同径向位置。94.如申请专利范围第93项之方法,另包含应用不同射频电位至该围壁之不同径向区。图示简单说明:第一图说明本发明电浆反应器之第一实施例,有一平面线圈天线置于一平面硅顶板之上面者。第二图系一曲线图,说明自一发送射频线圈至一接收射频线圈之正常化前向电压传输系数,而以第一图之一平面硅窗口在发送和接收射频线圈之间。第三图系一曲线图,说明自一发送射频线圈至一接收射频线圈之正常化前向电压传输系数,而以硅窗口之圆筒形部分在发送和接收射频线圈之间。第四图说明在硅顶板和晶片托架之间引用电力分裂之本发明之一实施例。第五图说明引用分开之射频电源以驱动晶片基座之本发明之一实施例,即顶上感应线圈和硅顶板。第六图说明本发明之一实施例,其中顶上感应天线系被分成为单独供以动力之同心外和内窗口。第七图说明引用围绕一圆筒形硅边壁卷挠之边感应天线之一实施例。第八图说明一相当于第七图之一实施例,其中自一单一射频电源之电力系在硅边壁和晶片基座之间分裂。第九图说明引用分开之射频发电机驱动硅边壁,晶片基座和感应边天线并列举其实施例。第十图说明组合硅顶板和顶上感应天线与硅边壁和围绕其卷挠之感应边线圈并列举其实施例。第十一图说明引用电力分裂于硅边壁和晶片基座之间之相当于第十图者之实施例。第十二图说明一实施例,其中硅顶板,硅边壁,顶上感应天线和边感应天线均系分开地以射频电力驱动。第十三A图说明引用一圆顶形硅顶板之相当于第一图者之实施例。第十三B图说明引用一圆顶形硅顶板之相当于第四图者之实施例。第十三C图说明引用一圆顶形硅顶板之相当于第五图者之实施例。第十三D图说明引用一圆顶形硅顶板之相当于第六图者之实施例。第十四图说明一实施例,有一圆顶形硅顶板以及置于上面之感应天线有一圆顶形部分在顶板上面,并继续地进入围着此圆筒形边壁卷挠之一圆筒形部分内。第十五图说明相当于第十四图之实施例,但其中此感应天线之圆顶形和圆筒形部分系相互绝缘并分开地以射频电力驱动。第十六图说明一相当于第六图之实施例,其中自一只有射频发电机之电力系在内和外感应天线之间分裂。第十七A图说明一相当于第十五图之实施例,其中自一只有射频发电机之电力系在圆顶形和圆筒形感应天线部分之间分裂。第十七B图说明一有分开之内和外圆顶形感应天线之实施例,在此两天线之间自只有射频发电机之电力系分裂。第十八图说明一相当于第十图之实施例,其中自只有射频发电机之电力系在顶上感应天线和边感应天线之间分裂。第十九图说明一相当于第一图之实施例,其中自只有射频发电机之电力系在顶上感应天线和硅顶板之间分裂。第二十图说明一相当于第一图之实施例,其中自只有射频发电机之电力系在顶上感应天线和晶片基座之间分裂。第二一图说明一相当于有一圆顶形顶板之第十三A图之实施例,其中自一只有射频发电机之电力系在顶上感应天线和圆顶形硅顶板之间分裂。第二二图说明一相当于有一圆顶形顶板之第十三A图之实施例,其中自一只有射频发电机之电力系在顶上感应天线和晶片基座之间分裂。第二三图说明一实施例,其中此晶片基座和硅顶板系分开地以射频电力驱动,并各充作为相互之间之反电极。第二四图说明相当于第二三图之实施例,其中硅顶板系圆顶形。第二五A图系此硅顶板之一实施例之侧视图,包括一导电体背部平面。第二五B图系导电体背部平面之一实施例之俯视图。第二五C图系导电体背部平面之另一实施例之俯视图。第二六图系硅顶板之一实施例之侧视图,它系结合于一支承基体。第二七图系相当于第二六图之一实施例之侧视图,其中此支承基体系一顶上感应天线之一绝缘体夹持具。第二八图系本发明之一实施例之侧视图,其中此天线夹持具系一导电体。第二九图系相当于第二八图之一实施例之侧视图,其中此导电体天线夹持具有一对含内和外顶上感应天线之环形孔。第三十A图系一顶上感应天线之非同心实施例之俯视图。第三十B和三十C图分别系有平面和圆顶形形状之第三十A图之感应天线之另一可供选择之实现方法之侧视图。第三一A图系顶上感应天线之另一非同心实施例之俯视图。第三一B和三一C图分别系有平面和圆顶形形状之第三一A图之感应天线之另一可供选择之实现方法之侧视图。第三二图系一顶上感应天线之一双圆筒形螺旋实施例之横截面侧视图。第三三图系一对供第十六图之内和外天线用之说明于第三二图中之一型同心圆筒形螺旋感应天线之横截面侧视图。第三四图系含多层感应天线之顶上感应天线之一实施例之横截面侧视图。第三五A直到第三五E图说明一中央气体进给硅顶板之一实施例,其中第三五A图系一气体进给顶部之仰视透视图,第三五B图系为此之一环形密封之仰视透视图,第三五C图系第三五B图之密封之一横截面图,第三五D图系显示于气体进给孔之硅顶板之俯视透视图,以及第三五E图系第三五D图之硅顶板之局部横截面图。第三六A图系有一对气体充气空由一硅晶片档板分开之中央气体进给硅顶板之另一实施例之一横截面图。第三六B图说明相当于第三六A图之另一可供选择实施例。第三七A图说明一法拉第屏如何可以包含于第一图之实施例中。第三七B图系第三七A图之法拉第屏之一俯视图。第三八A图说明一法拉第屏如何包括于有一圆顶形顶板之第十图之实施例中。第三八B图说明一法拉第屏如何可以包括于有一圆筒形半导体窗口电极和感应天线之第七至第九图之实施例中。第三九A图系本发明之一较佳实现之一详细横截面侧视图。第三九B图系被引用于顶上感应天线中之导电体之一轴向横截面图。第四十图说明一另一可供选择实施例,其中半导体窗口和感应天线系在反应器室之里面。第四一A图说明一相当于第四十图之实施例,其中此半导体窗口系圆顶形。第四一B图说明一相当于第四十图之实施例,其中此半导体窗口系圆筒形,以及感应线圈系圆筒形。第四二和第四三图分别地说明半导体窗口电极之分段部分之侧视和府视图。第四四图说明相当于第四二图之一实施例,其中半导体窗口系圆顶形。第四五图说明一实施例,其中射频电力系在半导体窗口电极和一边壁电极之间分裂,而它本身亦系半导体窗口电极之分段部分。第四六和第四七图说明第四二和第四四图之实施例之变更式,其中半导体窗口电极之外分段系接地,以及射频电力系在半导体窗口电极之中央分段和晶片基座之间分裂。第四八A图系本发明之一实施例之电浆反应器之破开侧视图,此反应器有一全方位半导体围壁限制电浆于晶片上面之一处理区内。第四八B图系相当于第四八A图之一电浆反应器之一破开侧视图,以该电浆系轴向地隔绝以取代以晶片基座为准之侧向地隔绝除外。第四八C图说明相当于第四八A图之一实施例。但引用频率绝缘。第四九图系相当于第四八A图之一电浆反应器之破开侧视图,而以该全方位半导体围壁系单石项除外。第五十图系相当于第四八A图之一电浆反应器之破开侧视图,而以该半导电围壁系被划分成为一圆盘中央部分和有圆筒形裙边之环形部分一项除外。第五一图系相当于第四八A图之一电浆反应器之破开侧视图,而以该半导电围壁系被划分成为一圆盘中央部分,一环边部分以及一分开之圆筒形裙边一项除外。第五二图说明第五十图之电浆反应器,具有分开之内和外感应线圈。第五三图说明第五一图之电浆反应器,具有分开之内和外感应线圈。第五四图说明第四八A图之电浆反应器,具有一圆筒形感应线圈围着此半导体围壁之圆筒形裙边卷挠。第五五图说明第四九图之电浆反应器,具有一圆筒形感应线圈围着此半导体围壁之圆筒形裙边卷挠。第五六图说明第五十图之电浆反应器,具有一圆筒形感应线圈围着此半导体围壁之圆筒形裙边卷挠。第五七图说明第五一图之电浆反应器,具有一圆筒形感应线圈围着此半导体围第五八图系相当于第四八A图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部分系圆顶形状一项除外。第五九图系相当于第四九图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部分系圆顶形状一项除外。第六十图系相当于第五十图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部份系圆顶形状一项除外。第六一图系相当于第五一图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部分系圆顶形状一项除外。第六二图系相当于第五二图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部分系圆顶形状一项除外。第六三图系相当于第五三图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部分系圆顶形状一项除外。第六四图系相当于第五四图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部分系圆顶形状一项除外。第六五图系相当于第五五图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部分系圆顶形状一项除外。第六六图系相当于第五六图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部分系圆顶形状一项除外。第六七图系相当于第五七图之一电浆反应器之破开侧视图,以此半导体围壁之顶板部分系圆顶形状一项除外。第六八A图系可选择性地引用于第四八至第六七图之实施例中之电浆限制磁铁之第一版本之绘图。第六八B图系可选择性地引用于第四八至第六七图之实施例中之电浆限制磁铁之第二版本之绘图。第六八C图系可选择性地引用于第四八至第六七图之实施例中之电浆限制磁铁之第三版本之绘图。第六八D图系可选择性地引用于第四八至第六七图之实施例中之电浆限制磁铁之第三版本之绘图。第六八E图系可选择性地引用于第四八至第六七图之实施例中之电浆限制磁铁之第四版本之绘图。第六九图系相当于第四八A图但利用电容性耦合之本发明之另一可供选择实施例之电浆反应器之破开侧视图。 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