| 主权项 |
1.一种电子照相光敏性元件,其包含一种导电载体,且其上形成一光敏层,该电子照相光敏性元件系藉由施加电压于与其接触之起电装置使其电极化,其中该光敏性元件与起电装置接触范围之终端之阻抗(cm)高于该范围其他部分;且该电子照相光敏性元件包含一或多种高阻抗之中间层,其介于该光敏层与该导电载体之间,位于该起电元件与电子照相光敏性元件接触区之终端,且至少有一层中间层不位于除其终端外之部分。2.如申请专利范围第1项之电子照相光敏性元件,其中施加于该起电装置之脉冲电压系由DC电压与AC电压叠加而成。3.如申请专利范围第1项之电子照相光敏性元件,其中该中间层阻抗不低于1015cm。4.如申请专利范围第1项之电子照相光敏性元件,其中该中间层厚度范围由1至100m。5.如申请专利范围第3项之电子照相光敏性元件,其中该中间层厚度范围由1至100m。6.一种处理卡匣,其包含一种电子照相光敏性元件,和至少一种由具有起电元件之起电装置,显像装置和清洁装置等等选出之装置:前述电子照相光敏性元件包含一导电性载体且其上有光敏层形成,该电子照相光敏性元件系藉施加电压于与其接触之起电装置而电极化,其中该电子照相光敏性元件终端之阻抗(cm)高于该光敏性元件与起电装置接触区的其他部分,且所述之电子照相光敏性元件和所述至少一种装置被整合成一体,而可由电子照相装置之主体拆卸换装;又该电子照相光敏性元件包含一或多种高阻抗之中间层,其介不光敏层和导电载体之间,位于起电元件与电子照相光敏性元件接触区之终端,且至少有一种中间层不位于除其终端外之部分。7.如申请专利范围第6项之处理卡匣,其中施加于该起电装置之脉冲电压系由DC电压与AC电压叠加而成。8.如申请专利范围第6项之处理卡匣,其中该中间层阻抗不低于1015cm。9.如申请专利范围第6项之处理卡匣,其中该中间层厚度范围由1至100m。10.如申请专利范围第8项之处理卡匣,其中该中间层厚度范围由1至100m11.一种电子照相装置,其包含一种具有光敏层形成于其上之导电性载体之电子照相光敏性元件,一种具有与该电子照相光敏性元件接触之起电元件的起电装置,其于施加电压时用于使该电子照相光敏性元件起电,一种曝光装置,一种显像装置和一种影像转移装置,其中该感光性元件终端之阻抗(cm)高于该感光性与该起电装置接触区之其他部分;且该电子照相光敏性元件包含一或多层隔绝层,其介于该光敏层与该导电载体之间,位于起电元件与电子照相光敏性元件接触区之终端,且至少一种隔绝层不位于除其终端外之部分。12.如申请专利范围第11项之电子照相装置,其中施加于该起电装置之脉冲电压系由DC电压与AC电压叠加而成。13.如申请专利范围第11项之电子照相装置,其中该中间层阻抗不低于1015cm。14.如申请专利范围第11项之电子照相装置,其中该中间层厚度范围由1至100m。15.如申请专利范围第13项之电子照相装置,其中该中间层厚度范围由1至100m图示简单说明:图1表示一种本发明之电子照相光敏性元件之层状结构实例。图2表示本发明之电子照相光敏性元件之层状结构之另一实例。图3显示本发明起电元件与电子照相光敏性元件之相对位置关系。图4概要地显示使用本发明具有电子照相光敏性元件之处理卡匣之电子照相装置结构。图5显示使用本发明电子照相光敏性元件传真系统之实例略图。 |
