| 发明名称 | 带产生轴向磁场的单独内部组件的真空断流器 | ||
| 摘要 | 一种轴向磁场真空断流器包括一个仅与两个相对的电极组件之一相关联的产生磁场的结构。该产生磁场的结构的特征在于当瞬时电弧电流为I<SUB>m</SUB>(以千安计)，并且电极组件处于开路状态时，施加在每个电极接触表面的大部分上的B沿轴向的瞬时分量B<SUB>a</SUB>(以毫忒斯拉计)可由下述解析表达式表示，即5Im>B<SUB>a</SUB>kA/mT≥3.2(Im-9kA)。 | ||
| 申请公布号 | CN1144391A | 申请公布日期 | 1997.03.05 |
| 申请号 | CN96102270.1 | 申请日期 | 1996.06.06 |
| 申请人 | 尹顿公司 | 发明人 | 米歇尔·B·舒尔曼;保罗·G·斯莱德 |
| 分类号 | H01H33/66;H01H33/18 | 主分类号 | H01H33/66 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 易咏梅 |
| 主权项 | 1.一种具有峰值电流Im的最大断流能力的真空断流器(1)，包括第一及第二同轴定位的电极组件(11，13)，它们可沿着开路状态及闭路状态之间的一条公共纵向轴线相对移动，每一电极组件包括一接触表面(27、29)，该接触表面与另一电极组件的接触表面(29、27)相对，仅有第一电极组件(11)包括AMF装置(31)，它在电极组件(11，13)处于开路状态，并且瞬时电弧电流为Im (以千安计)时，在接触表面(27、29)之间的触点间隙中产生一个基本上沿纵向的磁场B，B在轴向上的瞬时分量Ba，以毫忒斯拉计，作用在每个接触表面(27、29)的大部分上，其值为：5ImmT/kA≥Ba≥3.2(Im-9kA)mT/kA | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||