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PARA LA GENERACION FINA DE ESTRUCTURAS DE ELECTRODOS CON BUENA ADHERENCIA SOBRE SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES Y NO CONDUCTORES SE PROPONE, UN REFORZAMIENTO EN FORMA CONOCIDA DE LA METALIZACION DE PELICULA ESPESA APLICADA DE FORMA GALVANICA. EN UNA UTILIZACION DEL PROCESO SE GENERAN LOS CONTACTOS DE LA PARED DELANTERA DE LAS CELULAS SOLARES, Y CONTENIENDO CELULAS SOLARES CON UN GRADO DE ACCION MEJORADO.
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