| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件中的隔离膜和形成该隔离膜的方法，通过在一隔离区的SOI(绝缘体上的硅)层中注入杂质离子，能增大有源区的尺寸和改善隔离膜的平整度，并减少了工艺步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1143260A | 申请公布日期 | 1997.02.19 |
| 申请号 | CN96108208.9 | 申请日期 | 1996.06.19 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 黄儁 |
| 分类号 | H01L21/761 | 主分类号 | H01L21/761 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：一个SOI晶片，具有一硅基片、一绝缘层和一SOI层；一个有源区，通过以第一类杂质离子进行掺杂而在所述SOI层的第一选择区域形成；以及一个隔离区，形成在所述SOI层的第二选择区域，其中该隔离区是以第二类杂质离子进行掺杂的，以便将另一个与所述有源区相邻的有源区隔离开来。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||