| 发明名称 |
PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM D'OXYDE DE CHAMP POUR DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2727245(B1) |
申请公布日期 |
1997.01.31 |
| 申请号 |
FR19940015220 |
申请日期 |
1994.12.13 |
| 申请人 |
ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE |
发明人 |
RYUM BYUNG RYUL;HAN TAE HYEON;LEE SOO MIN;CHO DEOK HO;KANG JIN YOUNG |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/32;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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