Zwei Kuppeln aufweisender Reaktor zur Halbleiterbehandlung,申请号DE19916019452T-传众专利搜索

发明名称	Zwei Kuppeln aufweisender Reaktor zur Halbleiterbehandlung
摘要
申请公布号	DE69119452(T2)	申请公布日期	1997.01.23
申请号	DE19916019452T	申请日期	1991.02.21
申请人	APPLIED MATERIALS, INC., SANTA CLARA, CALIF., US	发明人	ANDERSON, ROGER N., SANTA CLARA, CALIFORNIA 95051, US;MARTIN, JOHN G., CRANFORD, NEW JERSEY 07016, US;MEYER, DOUGLAS, TEMPE, ARIZONA 85283, US;WEST, DANIEL, SUNNYVALE, CALIFORNIA 94089, US;BOWMAN, RUSSELL, SAN JOSE, CALIFORNIA 95139, US;ADAMS, DAVID V., SAN JOSE, CALIFORNIA 95129, US
分类号	H01L21/203;C23C16/44;C23C16/48;C30B25/08;C30B25/10;C30B25/14;H01L21/00;H01L21/205;H01L21/26;H01L21/324;(IPC1-7):C23C16/44;C23C16/46	主分类号	H01L21/203
代理机构		代理人
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