| 摘要 |
<P>L'invention concerne un laser à semiconducteur qui comprend un substrat échelonné fait d'un semiconducteur composé des groupes III-V qui expose des plans disposés à plat supérieur et inférieur et un plan incliné raccordant les plans disposés à plat supérieur et inférieur, une couche de confinement optique inférieure (22, 23) formée directement sur le substrat échelonné, une couche active (24) formée directement sur la couche de confinement optique inférieure, et une couche de confinement optique supérieure (25, 26, 27) formée directement sur la couche active et comportant une couche d'arrêt de courant (26) en une première région profonde partielle. On appelle theta l'angle compris entre un plan frontière séparant une région de la couche de confinement optique supérieure située le long du plan disposé à plat supérieur et une région de la couche de confinement optique supérieure située le long du plan incliné et le plan incliné de la couche active. Alors selon l'invention, l'angle theta prévalant dans la première région profonde partielle, du côté de la couche active pour l'une considérée des couches de confinement optique supérieure et inférieure est différent de l'angle theta relatif à la couche de confinement optique considérée prévalant dans une deuxième région profonde plus éloignée de la couche active que la première région profonde.</P> |
