| 主权项 |
1. 一种矽烷组成物,其包含 (A) 一具下式之矽烷偶合剂 A(@ss4-x)Si(B)x@fl (Ⅲ) 其中A为可水解基,x为1,2或3,且B为烷基或芳基或以 下 式表示之官能基 CnH@ss2nX 其中n为由0至20且X系选自基团中包含氨基,醯氨基, 羟 基,烷氧基,卤基,氢硫基,羧基,醯基,乙烯基,烯丙 基,苯乙烯基,环氧基,异氰酸基,缩水甘油氧基,及 丙 烯氧基;及 (B) 一具下式之三(甲矽烷有机基)胺或链烷烃 [(RO)@ss3 SiR@su1]@ss3 N@fl (Ⅰ) 或 [(RO)@ss3 SiR@su1]@ss3 CR@su2@fl (Ⅱ) 其中每一R分别为少于20个碳原子之烷基,烷氧烷基 ,芳 基,芳烷基或环烷基;R@su1为少于20个碳原子之二价 烃 或聚醚基;及R@su2为以下式表示之官能基 CnH@ss2nX 其中n,X分别如上述之定义,且(A):(B)之莫耳比例为 由1:1至5:1之范围2. 如申请专利范围第1项之矽烷组 成物,其中(B)为具式 Ⅰ特征之三(甲矽烷有机基)胺。3. 如申请专利范 围第1项之矽烷组成物,其包含 (A) 一具下式之矽烷偶合剂 (RO)@ss3 SiB@fl (IIIA) 或 (RO)@ss3 Si-R@su4 N(H)CONH@ss2@fl (IIIB) 其中R及B分别如申请专利范围第1项之定义,及R@su4 为含 有由1至约5个碳原子之二价烃基; (B) 一具下式之三(甲矽烷有机基)胺或链烷烃 [(RO)@ss3 SiR@su1]@ss3 N@fl (Ⅰ) 其中R及R@su1分别如申请专利范围第1项之定义。4. 一种层压板,其包含: (A) 至少一层导电材料; (B) 至少一层介电材料;及 (C) 一矽烷组成物之黏合性促进层介于其间且黏着 导电材 料及介电材料,此矽烷组成物包含 () 一具下式之矽烷偶合剂 A(@ss4-x)Si(B)x@fl (Ⅲ) 其中A为可水解基,x为1,2或3,且B为烷基或芳基或以 下 式表示之官能基 CnH@ss2nX 其中n为由0至20且X系选自基团中包含氨基,醯氨基, 羟 基,烷氧基,卤基,氢硫基,羧基,醯基,乙烯基,烯丙 基,苯乙烯基,环氧基,异氰酸基,缩水甘油氧基,及 丙 烯氧基;及 () 一具下式之三(甲矽烷有机基)胺或链烷烃 [(RO)@ss3 SiR@su1]@ss3 N@fl (Ⅰ) 或 [(RO)@ss3 SiR@su1]@ss3 CR@su2@fl (Ⅱ) 其中每一R分别为少于20个碳原子之烷基,烷氧烷基 ,芳 基,芳烷基或环烷基;R@su1为少于20个碳原子之二价 烃 或聚醚基;及R@su2为以下式表示之官能基 CnH@ss2nX 其中n,X分别如上述之定义,且(A):(B)之莫耳比例为 由1:1至5:1之范围。5. 一种多层层压板,其包含: (A) 于至少一表面上至少含有具导电金属涂覆或金 属周路 之介电层; (B) 至少一个绝缘层;及 (C) 一矽烷层介于具有导电金属涂履或金属周路的 表面及 绝缘层之间,此矽烷层系由矽烷组成物所形成,其 包含: () 一具下式之矽烷偶合剂 A(@ss4-x)Si(B)x@fl (Ⅲ) 其中A为可水解基,x为1,2或3,且B为烷基或芳基或以 下 式表示之官能基 CnH@ss2nX 其中n为由0至20且X系选自基团中包含氨基,醯氨基, 羟 基,烷氧基,卤基,氢硫基,羧基,醯基,乙烯基,烯丙 基,苯乙烯基,环氧基,异氰酸基,缩水甘油氧基,及 丙 烯氧基;及 () 一具下式之三(甲矽烷有机基)胺或链烷烃 [(RO)@ss3 SiR@su1]@ss3 N@fl (Ⅰ) 或 [(RO)@ss3 SiR@su1]@ss3 CR@su2@fl (Ⅱ) 其中每一R分别为少于20个碳原子之烷基,烷氧烷基 ,芳 基,芳烷基或环烷基;R@su1为少于20个碳原子之二价 烃 或聚醚基;及R@su2为以下式表示之官能基 CnH@ss2nX 其中n,X分别如上述之定义,且(A):(B)之莫耳比例为 由 |
