| 摘要 |
<p>Der Sensor weist eine Brückenschaltung (B1) von mehreren magnetoresistiven Dünnschicht-Brückenelementen (E1 bis E4) auf. Alle Brückenelemente (E1 bis E4) sollen mit demselben Schichtaufbau auf einem gemeinsamen Substrat (13) ausgebildet sein und einen GMR-Effekt zeigen. Außerdem soll jedes Brückenelement einen Biasschichtteil und eine Leiterschicht (6i) aufweisen, die zur Führung eines Einstellstromes (Ie) vorgesehen ist, um in dem Biasschichtteil eine bestimmte Orientierungsrichtung der Magnetisierung fest einzustellen.</p> |
