| 发明名称 | 制造半导体器件中晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 该发明涉及一种制造晶体管的方法，通过在硅基片上形成N<SUP>+</SUP>区来抑制短沟道效应，和在制造P型晶体管时，利用硼硅玻璃(BSG)在N<SUP>+</SUP>区形成P<SUP>--</SUP>层，该方法能形成浅结深的结，并实现高跨导。 | ||
| 申请公布号 | CN1136709A | 申请公布日期 | 1996.11.27 |
| 申请号 | CN96105950.8 | 申请日期 | 1996.03.22 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 黄儁 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/324;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王岳 |
| 主权项 | 1一种制造半导体器件中晶体管的方法，包括以下步骤：在具有N阱的硅基片上生长氧化层；在所说硅基片内形成N+区；除去所说氧化层，此后，在所得结构上形成第一BSG层；在所说N+区上形成P--区；除去所说第一BSG层，然后，在所得结构上依次形成栅氧化层和多晶硅层；将P+杂质离子注入到所说多晶硅层，依次使所说多晶硅层和所说氧化层构图，从而形成栅极；在所说栅极的两个侧壁上形成调整垫层；在形成所说垫层后，在所得结构上淀积第二BSG层；将P+杂质离子注入到所说硅基片内从而形成结区；进行快速热退火工艺；和除去所说第二BSG层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||