制造单片多功能集成电路器件的方法

摘要

在一衬底上制造包括PIN二极管器件、HBT器件、HEMT器件和MESFET器件的组合的单片集成电路器件的方法，包括在衬底上淀积上述各器件之一的断面层，然后在该断面层上淀积第一介质层，刻蚀该断面层和介质层以限定第一器件断面，在露出的衬底上淀积第二断面层，选择性刻蚀第二断面以确定第二器件断面。该工艺可推广到在一公共衬底上单片集成两个以上的不同器件，只要先制作的器件稳定得足以承受制作后部器件所用的温度循环。

主权项

1.一种单片集成电路，它具有一个衬底；一个制备该衬底上的高电子迁移率晶体管(HEMT)，上述HEMT包括用选择性分子束外延(MBE)淀积在该衬底上的多个HEMT断面层，以使该HEMT衬底接触的断面层与衬底形成外延键合；以及一个制备在该衬底上的第一半导体器件，上述第一半导体器件包括用MBE淀积在该衬底上的多个第一半导体器件断面层，以使该第一半导体器件与衬底接触的断面层与衬底形成外延键合。