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经营范围
发明名称
MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号
JPH08204190(A)
申请公布日期
1996.08.09
申请号
JP19950013396
申请日期
1995.01.31
申请人
NEC KANSAI LTD
发明人
MATSUURA NAOKI
分类号
H01L29/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78
主分类号
H01L29/06
代理机构
代理人
主权项
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