| 主权项 |
1.一种基质,其包括:一第一物质,具有高热传系数于一第一方向,及具有低热传系数于一第二方向,该第二方向系正交该第一方向;复数通孔,延伸通过该第一物质;及一第二物质,系包覆该第一物质,该第二物质系藉由排配该第一物质该碳矽化合物以预先形成组合物,其后注入液态铝于该组合物之中;该液态铝穿透该碳矽化合物以预先形成碳矽化铝(AlSiC),而该液态铝并充满于该复数之通孔。2.如申请专利范围第1项之基质,其中热系经由该第一物质传导于第一方向,并传导于第二方向并通过该复数通孔。3.如申请专利范围第1项之基质,其中该组合物系包括一泥模。4.如申请专利范围第1项之基质,其中第二物质之热膨胀系数系高于该第一物质之热澎胀系数,因是该第一物质系为受压。5.一种基质系用以收纳及冷却电子元件,该基质具有一第一侧及一第二侧,该基质包括:一充填物质之第一部份,该充填物质具有第一热传系数于一第一方向,具有第二热传系数于一第二方向;充填物质之一第二部份,系与第一部份保持一角度;一包覆物质,分别包围该充填物质之第一部份及第二部份;藉此,当电子元件系置于第一侧,产生自该电子元件之热系经由该充填物质之第一部份传导于第一方向,经由充填物质之第二部份传导于第二方向。6.如申请专利范围第5项之基质,其中该角度系为一直角。7.如申请专利范围第6项之基质,其中该第一方向系与第二方向正交。图式简单说明:第一图为本发明用以冷却电子元件之基质之剖视图。第二图为本发明用以冷却电子元件之基质之另一实施例之立体图。 |
