| 发明名称 |
Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à grille isolée, en particulier de longueur de canal réduite, et transistor correspondant. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2718287(B1) |
申请公布日期 |
1996.08.02 |
| 申请号 |
FR19940003841 |
申请日期 |
1994.03.31 |
| 申请人 |
STRABONI ALAIN;MINGAM HERVE |
发明人 |
STRABONI ALAIN;MINGAM HERVE |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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