发明名称 以氧化矽为基质之溶胶,其制备和应用
摘要 本发明提出以氧化矽为基质之溶胶,其包含具有高比表面积的以氧化矽为基质之阴离子粒子和具有低比表面积的以氧化矽为基质之阴离子粒子。该溶胶可经由将含有该具高比表面积的氧化矽基质阴离子粒子之溶胶混合含有该具低比表面积的氧化矽基质阴离子粒子之溶胶而制备成。该溶胶可与两性或阳离子聚合物组合而用为絮凝剂,特别是用于纸张和纸浆的制造,而且也可用于水的纯化等之中。
申请公布号 TW282504 申请公布日期 1996.08.01
申请号 TW084101674 申请日期 1995.02.23
申请人 伊卡诺贝尔公司 发明人 强森.汉斯
分类号 D21H17/68 主分类号 D21H17/68
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1. 一种以氧化矽为基质之溶胶,其特征在于其中含有其比表面积在425至1700平方米/克范围内的高比表面积氧化矽基质阴离子粒子及其比表面积在50至400平方米/克范围内的氧化矽基质阴离子粒子,该高比表面积氧化矽基质阴离子粒子的含量为以氧化矽基质粒子总量计之至少50重量%。2. 一种以氧化矽为基质之溶胶,其特征在于其包含一由含有其比表面积在425至1700平方米/克范围内的高比表面积氧化矽基质阴离子粒子之溶胶,及含有其比表面积在50至400平方米/克范围内的低比表面积氧化矽基质阴离子粒子之溶胶所构成的混合物,该含有高比表面积氧化矽基质阴离子粒子的溶胶之添加量为以氧化矽基质粒子总量计算之至少50重量%。3. 如申请专利范围第1或2项所述以氧化矽为基质之溶胶,其特征在于该高比表面积氧化矽基质阴离子粒子具有在450至1400平方米/克范围内的比表面积。4. 如申请专利范围第1或2项所述以氧化矽为基质之溶胶,其特征在于该低比表面积氧化矽基质阴离子粒子具有在70至350平方米/克范围内的比表面积。5. 如申请专利范围第1项所述以氧化矽为基质之溶胶,其特征在于该低比表面积氧化矽基质阴离子粒子系实质地球形之个别状粒子。6. 如申请专利范围第1项所述以氧化矽为基质之溶胶,其特征在于该溶胶含有其量以氧化矽基质粒子总量计算为60至95重量%的高比表面积氧化矽基质粒子。7. 如申请专利范围第1项所述以氧化矽为基质之溶胶,其特征在于该具有高比表面积的粒子系源自其S-値范围为8至45%的氧化矽基质溶胶且包含其比表面积在750至1000平方米/克范围内并经用铝改质到2至25%程度之氧化矽粒子。8. 如申请专利范围第1项所述以氧化矽为基质之溶胶,其特征在于该溶胶更包含在水中可膨胀的水合绿土型(smectitetype)黏土粒子。9. 一种制备以氧化矽为基质的溶胶之方法,其特征在于其包括将含有其比表面积在425至1700平方米/克范围内的高比表面积氧化矽基质阴离子粒子之溶胶混合含有其比表面积在50至400平方米/克范围内的低比表面积氧化矽基质阴离子粒子,其中所得溶胶中含有其量为以氧化矽基质粒子总量计算为至少50重量%的高比表面积氧化矽基质阴离子粒子。10. 一种以氧化矽为基质的溶胶与阳离子或两性聚合物组合在纸浆和纸制造中及水纯化中作为絮凝剂之用途,其中该溶胶含有其比表面积在425至1700平方米/克范围内的高比表面积氧化矽基质阴离子粒子及其比表面积在50至400平方米/克范围内的低比表面积氧化矽基质阴离子粒子。11. 如申请专利范围第10项所述之用途,其中藉此用该以氧化矽为基质之溶胶作为絮凝剂以在造纸中改良持留性和脱水效果。12. 如申请专利范围第10或11项所述之用途,其中藉此系用该以氧化矽为基质的溶胶组合阳离子淀粉或阳离子丙烯醯胺系聚合物或其组合。13. 一种制造纸张的方法,其系经由将含纤维和选用的填充料之纤维素悬浮液在线网上成形和脱水而成者,该方法的特征在于该悬浮液系在含有阳离子或两性聚合物与以氧化矽为基质的溶胶之情况下成形与脱水的,其中该以氧化矽为基质的溶胶包含着由一含有其比表面积在425至1700平方米/克范围内的高比表面积氧化矽基质阴离子粒子之溶胶,与一含有其比表面积在50至400平方米/克范围内的低比表面积氧化矽基质阴离子粒子之溶胶等所构成之混合物,其中该含有该高比表面积氧化矽基质阴离子粒子的溶胶之含量为以氧化矽基质粒子总量计算之至少50重量%。14. 如申请专利范围第13项所述之方法,其特征在于该阳离子或两性聚合物系选自阳离子淀粉,阳离子性丙烯醯胺
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