| 发明名称 | 非挥发性存储结构释放电荷累积的方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种非挥发性存储结构释放电荷累积的方法，包括下列步骤：施加电压抹除信号于该半导体芯片上的该非挥发性存储结构；及在促使该抹除信号所致电荷扩散的条件下烘烤该半导体晶片；其中，该电压抹除信号通过佛勒-诺德汉穿隧产生负闸极通道抹除；该电压抹除信号也可通过佛勒-诺德汉穿隧产生负闸极源极侧抹除；该电压抹除信号产生热电洞抹除；该非挥发性存储结构包含ONO结构；该烘烤包含加热该半导体晶片至80与150℃之间，或者在150与250℃之间；本发明在分割半导体晶片成为半导体芯片前使用电压抹除信号预抹除非挥发性存储单元，克服了传统上利用曝晒紫外光辐射方法而不能完全消除电荷累积的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1190834C | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN02107465.8 | 申请日期 | 2002.03.19 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 周铭宏;黄俊仁;吕瑞霖;林东煌 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8247;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种非挥发性存储结构释放电荷累积的方法，其特征是：包含下列步骤：施加电压抹除信号于该半导体芯片上的该非挥发性存储结构；及在促使该电压抹除信号所致电荷扩散的条件下烘烤该半导体晶片。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||