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<P>Une mémoire en circuit intégré qui comporte un dispositif de précharge et lecture des lignes de bit comprenant un élément de précharge (4), un convertisseur courant-tension (5) et un circuit de lecture (6), comprend en outre un circuit de test pour isoler la sortie du convertisseur de l'élément de précharge (13, DMA1 ) et du circuit de lecture (14, DMA2 ), pour appliquer une tension de test sur une cellule de la mémoire via le convertisseur et mesurer le courant dans la cellule.</P>
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