发明名称 FIELD-EFFECT TRANSISTOR PROVIDED WITH BUILT-IN PROTECTIVE DIODE
摘要
申请公布号 JPH08162480(A) 申请公布日期 1996.06.21
申请号 JP19940329519 申请日期 1994.12.03
申请人 SONY CORP 发明人 KOBAYASHI JUNICHIRO
分类号 H01L29/872;H01L21/338;H01L29/47;H01L29/80;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/338 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
主权项
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