| 摘要 |
<P>L'invention concerne une nouvelle topologie d'amplificateur hyperfréquence monolithique, à haute intégration.<BR/>Il s'agit d'une topologie plus compacte, divisée à deux niveaux ou arborescente dans laquelle la division du signal d'entrée s'effectue d'une part sur chaque transistor Tij, d'autre part sur chacun des transistors élémentaires tijk des transistors Tij. Plus précisément, la ligne d'entrée LE est divisée en différentes lignes de base Ii, chaque ligne Ii alimentant des lignes Iij distribuées de part et d'autre desdites lignes Ii, une ligne Iij alimentant alors un transistor de puissance Tij.<BR/>Application: Amplificateur hyperfréquence.</P>
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