半导体器件的器件隔离方法

摘要

一种半导体器件的器件隔离方法，包括：在半导体衬底上形成一衬垫氧化层和一氮化物层之后，将位于器件隔离区上方的氮化物层清除掉。通过局部腐蚀衬垫氧化层在氮化物层下方形成一个切口。在暴露的衬底上形成第一氧化层并在氮化物层侧壁上形成一个多晶硅分隔层之后，通过对其中已在950℃以上的温度下形成了多晶硅分隔层的所得结构进行氧化，在形成于有源区上的氮化物层下方形成一个空洞。可实现良好的单元限定和稳定的器件隔离。

主权项

1.一种半导体器件的器件隔离方法，它包含下列步骤：在半导体衬底上形成一个衬垫氧化层和一个氮化物层；清除位于器件隔离区上方的上述氮化物层；通过局部腐蚀上述衬垫氧化层而在上述氮化物层下方形成一个切口区；在暴露的衬底上形成一个第一氧化层；在上述氮化物层的侧壁上形成一个多晶硅分隔层；以及对其中形成了上述多晶硅分隔层的所得结构进行选择性氧化，并在位于上述形成在有源区上的氮化物层下方的上述氧化层中形成一个空洞。