| 发明名称 |
SOI methods and apparatus |
| 摘要 |
A charge coupled device is fabricated from a monocrystalline semiconductor-on-insulator (SOI) composite structure.
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| 申请公布号 |
US5514885(A) |
申请公布日期 |
1996.05.07 |
| 申请号 |
US19950372864 |
申请日期 |
1995.01.13 |
| 申请人 |
MYRICK, JAMES J. |
发明人 |
MYRICK, JAMES J. |
| 分类号 |
G02B6/122;G02B6/132;H01L21/20;H01L21/762;H01L23/482;(IPC1-7):H01L27/148;H01L29/768 |
主分类号 |
G02B6/122 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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