发明名称 避免复晶矽阻値变化的方法
摘要 一种避免复晶矽阻值变化的方法,避免复晶矽阻值受到某些后续制程如电浆蚀刻的影响,产生下降的现象。可适用于一高复晶矽阻值上,其包含一负载区和导体区。首先,形成一绝缘层于高阻值复晶矽上,在于此绝缘层上形成一金属层,能够完全遮蔽下方的高阻值复晶矽之负载区。定义此金属层的光罩,可以利用定义高且值复晶矽的负载光罩来实施,无需增加额外的成本。
申请公布号 TW274632 申请公布日期 1996.04.21
申请号 TW084110300 申请日期 1995.10.03
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 林源吉;徐振聪;张春财
分类号 H01L21/3205;H01L27/11 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项
地址 新竹科学工业园区工业东三路三号