发明名称 | 避免复晶矽阻値变化的方法 | ||
摘要 | 一种避免复晶矽阻值变化的方法,避免复晶矽阻值受到某些后续制程如电浆蚀刻的影响,产生下降的现象。可适用于一高复晶矽阻值上,其包含一负载区和导体区。首先,形成一绝缘层于高阻值复晶矽上,在于此绝缘层上形成一金属层,能够完全遮蔽下方的高阻值复晶矽之负载区。定义此金属层的光罩,可以利用定义高且值复晶矽的负载光罩来实施,无需增加额外的成本。 | ||
申请公布号 | TW274632 | 申请公布日期 | 1996.04.21 |
申请号 | TW084110300 | 申请日期 | 1995.10.03 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林源吉;徐振聪;张春财 |
分类号 | H01L21/3205;H01L27/11 | 主分类号 | H01L21/3205 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹科学工业园区工业东三路三号 |