| 发明名称 |
PROCESS OF FORMATION OF INTEGRATED CIRCUITS OF MICROCIRCUITS WITH SCHOTTKY DIODES HAVING VARIOUS HEIGHT OF POTENTIAL BARRIER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
RU1814432(C) |
申请公布日期 |
1996.04.20 |
| 申请号 |
SU19914916949 |
申请日期 |
1991.03.05 |
| 申请人 |
NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKIJ INSTITUT ELEKTRONNOJ TEKHNIKI |
发明人 |
BODNAR D.M.;KOROLKOV S.N.;KASTRYULEV A.N. |
| 分类号 |
H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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