Power semiconductor device with monolithically integrated sense device, its method of fabrication and its application

摘要

Der Anmeldungsgegenstand betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement, bei dem neben einem Lasttranssistor (LT) mehrere Transistoren (ST1, ST2, ST3) und Widerstände (R1, R2, R3) monolithisch integriert sind und zusammen mit dem Lasttransistor jeweils Stromspiegel bilden. Vorteilhafterweise werden hierbei Widerstände aus Polysilizium gleichzeitig mit Gate-Elektroden und Widerstände aus Aluminium gleichzeitig mit einer Kontaktierungsschicht erzeugt. Durch den Anmeldungsgegenstand ist eine weitgehend unabhängige Messung des Laststromes, der Halbleiter-Temperatur und der Sättigungsspannung des Lasttransistors sowie eine Verbesserung der Meßgenauigkeit möglich.