发明名称 METHOD OF HARDENING OF PHOTORESISTIVE MASK
摘要 Использование: технология микроэлектроники, производство микросхем. Сущностьизобретения:жидкостную химическую обработку маски после проявлениявыполняют в водном растворе пер- манганата калия и ацетона при следующем соотношении компонентов, мас.%: КМпО4 2 - 6; СНзСОСНз 35 - 45, вода - остальноедо 100% в течение 0,5 - 5 мин при комнатной температуре, что обеспечивает экологическую безопасность процесса. 1 табл. я d 00 о Јь Ы К ы
申请公布号 RU1804223(C) 申请公布日期 1996.03.27
申请号 SU19904884248 申请日期 1990.11.21
申请人 NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKIJ INSTITUT TOCHNOJ TEKHNOLOGII 发明人 FROLOV VLADIMIR MIKHAJLOVICH;BELYAEVA TATYANA BORISOVNA;ZYKOVA OLGA VALENTINOVNA
分类号 G03F7/40 主分类号 G03F7/40
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利